[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 202011415839.3 | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN114613726A | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 关家一马 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/67;B24B7/22;B24B27/06;B24B41/06;B24B47/12;B28D5/02;B28D7/04;B28D7/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一种晶片的加工方法,该晶片在正面具有:器件区域,其在由交叉的多条间隔道划分出的多个区域中形成有器件;以及外周剩余区域,其围绕该器件区域,该晶片在与该器件区域对应的晶片的背面侧具有通过磨削而形成的圆形凹部,并且沿着该圆形凹部的外周具有环状加强部,其中,
所述晶片的加工方法具有以下步骤:
保护部件粘贴步骤,将具有覆盖晶片的正面或背面的面积的保护部件粘贴于晶片;以及
环状加强部去除步骤,在实施该保护部件粘贴步骤后,去除晶片的该环状加强部,
该环状加强部去除步骤包含以下步骤:
环状加强部分离步骤,沿着该器件区域的外周来分割晶片,将该器件区域与该环状加强部分离;以及
去除步骤,在实施该环状加强部分离步骤后,一边向晶片提供加工水一边使用磨具来加工去除该环状加强部。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其中,
在该去除步骤中,使用安装于主轴的下端的磨轮来磨削去除该环状加强部,该主轴具有与保持晶片的卡盘工作台的保持面垂直的旋转轴。
3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其中,
在该去除步骤中,使用安装于主轴的前端的切削刀具来切削去除该环状加强部,该主轴具有与保持晶片的卡盘工作台的保持面平行的旋转轴。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的晶片的加工方法,其中,
该环状加强部分离步骤是使用切削刀具或激光光线来实施的。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的晶片的加工方法,其中,
在该保护部件粘贴步骤中,将覆盖晶片的正面或背面的该保护部件的外周缘粘贴在环状框架上,形成晶片粘贴在该环状框架的开口内的该保护部件上的框架单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造