[发明专利]晶片的加工方法

说明书

本发明提供晶片的加工方法，能够去除环状加强部而不对器件区域造成加工负载。晶片的加工方法包含：保护部件粘贴步骤，将具有覆盖晶片的正面或背面的面积的保护部件粘贴于晶片；以及环状加强部去除步骤，在实施保护部件粘贴步骤后，去除晶片的环状加强部。环状加强部去除步骤包含：环状加强部分离步骤，沿着器件区域的外周来分割晶片，将器件区域与环状加强部分离；以及去除步骤，在实施环状加强部分离步骤后，一边向晶片提供加工水，一边使用磨具来加工去除环状加强部。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法。

背景技术

使用切割装置等而将在正面侧形成有多个IC、LSI等器件的晶片分割成一个个具有器件的芯片。为了实现组装有芯片的各种电子设备的小型化、轻量化等，分割前的晶片的背面被磨削而形成为厚度为例如20μm～100μm。

关于通过背面的磨削而形成得更薄的晶片，刚性低，容易大幅翘曲，因此难以在向背面覆盖数十nm左右厚度的由金、银、钛等构成的金属膜、或者在构成器件的电极部分形成通孔等后续的工序中进行处理和搬送。通过针对该问题而设计的所谓TAIKO(注册商标)磨削即仅将器件区域的背面磨削得很薄，保留外周部分作为环状加强部这种加工方法，能够抑制形成得很薄的晶片翘曲而进行搬送。另外，在将进行TAIKO磨削后的晶片分割成芯片的分割工序中，不需要残留于外周的厚壁的环状加强部。因此，设计有在环状加强部的内周呈环状切断，取下并去除环状加强部的加工方法和加工装置。

专利文献1：日本特许第5048379号公报

专利文献2：日本特许第5523033号公报

专利文献3：日本特开第2007-019379号公报

专利文献4：日本特开第2007-266352号公报

然而，将虽说是厚壁但厚度不足1mm的环状加强部从切割带取下的去除工序需要非常细致的作业，因此去除有可能花费时间，或者环状加强部有可能破损而损伤器件。此外，虽然也提出有通过使用切削刀具进行切削或者使用磨轮进行磨削而将环状加强部的全部或者凸部分去除的方法，但由于在去除用的加工中产生的负载所导致的缺口或裂纹有可能发展到器件区域。

发明内容

由此，本发明的目的在于，提供能够去除环状加强部而不对器件区域造成加工负载的晶片的加工方法。

根据本发明，提供了一种晶片的加工方法，该晶片在正面具有：器件区域，其在由交叉的多条间隔道划分出的多个区域中形成有器件；以及外周剩余区域，其围绕该器件区域，该晶片在与该器件区域对应的晶片的背面侧具有通过磨削而形成的圆形凹部，并且沿着该圆形凹部的外周具有环状加强部，其中，所述晶片的加工方法具有以下步骤：保护部件粘贴步骤，将具有覆盖晶片的正面或背面的面积的保护部件粘贴于晶片；以及环状加强部去除步骤，在实施该保护部件粘贴步骤后，去除晶片的该环状加强部，该环状加强部去除步骤包含以下步骤：环状加强部分离步骤，沿着该器件区域的外周来分割晶片，将该器件区域与该环状加强部分离；以及去除步骤，在实施该环状加强部分离步骤后，一边向晶片提供加工水一边使用磨具来加工去除该环状加强部。

优选为，在该去除步骤中，使用安装于主轴的下端的磨轮来磨削去除该环状加强部，该主轴具有与保持晶片的卡盘工作台的保持面垂直的旋转轴。

或者，在该去除步骤中，使用安装于主轴的前端的切削刀具来切削去除该环状加强部，该主轴具有与保持晶片的卡盘工作台的保持面平行的旋转轴。

优选为，该环状加强部分离步骤是使用切削刀具或激光光线来实施的。

优选为，在该保护部件粘贴步骤中，将覆盖晶片的正面或背面的该保护部件的外周缘粘贴在环状框架上，形成晶片粘贴在该环状框架的开口内的该保护部件上的框架单元。

根据本发明，能够去除环状加强部而不对器件区域造成加工负载。

附图说明