[发明专利]半导体器件及其沟槽栅结构的制造方法在审
| 申请号： | 202011416328.3 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112542387A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 尹率;宋彦松;方宇;景晓娟;黄留敏;周源;王玉 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;杨思雨 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 沟槽 结构 制造 方法 | ||
1.一种沟槽栅结构的制造方法，包括如下步骤：
在半导体结构表面形成牺牲层，其中所述半导体结构包括半导体层、位于所述半导体层中的沟槽、覆盖于所述半导体层上并填充于所述沟槽内的栅极导体层，且对应于所述沟槽的栅极导体层表面具有凹陷结构，所述牺牲层至少填充所述凹陷结构的一部分；
同步刻蚀所述牺牲层与所述栅极导体层，以平坦化所述栅极导体层的表面。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，形成所述牺牲层的步骤包括：在所述半导体结构表面涂覆流体状材料，使所述流体状材料流入所述凹陷结构内，形成所述牺牲层。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述流体状材料选自如下材料中的至少一种：
光刻胶、硅酸盐玻璃、旋涂玻璃、硅酸乙酯，以及抗反射涂层组合物。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，形成所述牺牲层的步骤还包括：对所述流体状材料进行固化处理。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制造方法，其中，位于所述半导体层表面的所述牺牲层的厚度为80～120nm。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，所述栅极导体层的厚度大于或等于所述沟槽最大宽度的一半，且所述栅极导体层的厚度与所述沟槽的最大宽度之差不超过100nm。
7.根据权利要求1-6任一项所述的制造方法，其中，在同步刻蚀所述牺牲层与所述栅极导体层的步骤中，控制所述牺牲层被刻蚀的速率不大于所述栅极导体层被刻蚀的速率。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，所述牺牲层与所述栅极导体层的刻蚀选择比为0.8至0.9。
9.根据权利要求1-4任一项所述的制造方法，其中，所述牺牲层仅填充所述凹陷结构的一部分，在同步刻蚀所述牺牲层与所述栅极导体层的步骤之前，所述制造方法还包括：对所述栅极导体层进行刻蚀，直至剩余的所述栅极导体层与所述牺牲层齐平。
10.一种半导体器件的制造方法，包括如权利要求1-9任一项所述的沟槽栅结构的制造方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
