[发明专利]一种LED芯片阵列模组及其制作方法在审
申请号: | 202011416968.4 | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN112563397A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 戴俊;李志聪;王国宏;王恩平 | 申请(专利权)人: | 扬州中科半导体照明有限公司 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58;H01L33/52;H01L33/48 |
代理公司: | 扬州云洋知识产权代理有限公司 32389 | 代理人: | 于长青 |
地址: | 225000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 芯片 阵列 模组 及其 制作方法 | ||
1.一种LED芯片阵列模组,其特征在于:包括基板,所述基板上阵列布设有若干LED芯片,形成LED芯片阵列,所述LED芯片阵列上方设置有透明胶状薄膜,透明胶状薄膜与LED芯片的出光面相接触,所述透明胶状薄膜上方设置有玻璃,玻璃上设置有微结构。
2.根据权利要求1所述的一种LED芯片阵列模组,其特征在于:所述玻璃的可见光透过率大于90%,厚度为10~2000μm。
3.根据权利要求1所述的一种LED芯片阵列模组,其特征在于:所述微结构为凸起或凹槽,所述微结构的形状包括圆锥或者棱锥、圆台或者棱台以及圆球中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的一种LED芯片阵列模组,其特征在于:所述微结构的高度为1~10μm,底部宽度为1~50μm,微结构之间的间距为1~100μm。
5.根据权利要求1所述的一种LED芯片阵列模组,其特征在于:所述透明胶状薄膜的可见光透过率大于90%,厚度为10~2000μm。
6.根据权利要求1所述的一种LED芯片阵列模组,其特征在于:所述透明胶状薄膜包括硅胶、环氧树脂、UV胶、聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的一种LED芯片阵列模组,其特征在于:所述透明胶状薄膜内部还含有荧光粉或者量子点。
8.一种LED芯片阵列模组的制造方法,其特征在于:包括如下步骤,
a,选择玻璃,在玻璃上通过光刻制作掩膜层,定义出呈凸起或凹槽的微结构形状;
b,在完成步骤a后,在玻璃上进行感应耦合等离子体刻蚀或者化学腐蚀,形成微结构;
c,选择基板,在基板上阵列排布LED芯片,LED芯片的出光面背向基板,电极面朝向基板;
d,在完场步骤c后,在基板涂覆液态透明胶状材料,使得透明胶状材料包覆阵列排布的LED芯片;
e,完成步骤b、d后,将玻璃置于透明胶状材料上,待下一步加工;
f,完成步骤e后,将基板连同透明胶状材料、玻璃在高温下或者UV光照射下进行固化,使得透明胶状材料固定成透明胶状薄膜,同时,透明胶状薄膜的上下面也分别与玻璃、LED芯片相固定。
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