[发明专利]一种氮化镓单晶生长装置

说明书

本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置，具体涉及单晶生长设备技术领域，包括底座、壳体、加热阻丝和塞盖，底座的顶端固定连接有壳体，所述壳体内部的顶端固定连接有筒体，且筒体内部与壳体顶端之间的两侧分别设置有升降结构，所述壳体顶端的一侧设置有排气结构，所述加热台的顶端固定连接有坩埚，且坩埚与壳体的一侧之间分别设置有进料结构。本发明通过在筒体与壳体之间的两侧分别设置有遮挡结构，以升降结构将网框抬升至筒体的内部后，轻旋空心筒内部的活动杆便可以限位块将在弹簧轴作用下朝外翻转的挡板压入筒体的内部，而后再以卡块对活动杆的顶部进行限位即可对网框内部的晶粒进行保存，其冷却效率亦得到一定程度的提升。

技术领域

本发明涉及单晶生长设备技术领域，具体为一种氮化镓单晶生长装置。

背景技术

氮化镓是一种新型的半导体材料，可在某些激光器的作用下发出紫光，因其具有导热效果好、 耐高电压等等特性，而被广泛应用于光电设备当中，在加工过程中多以钠熔融法实现氮化镓单晶的生长，其步骤简单、制备物饱和度强，时现今生产该物品的不二之选，本实用则就其制备装置作为详细阐述。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题没有得到解决：

（1）传统的氮化镓单晶生长装置在进行金属钠与镓的热熔时，因缺少搅拌装置而未对坩埚内部物件进行搅拌，融液中氮原子的分散较为不均；

（2）传统的氮化镓单晶生长装置内部的放置筒体处缺少遮挡物件，导致冷却降温耗时较多；

（3）传统的氮化镓单晶生长装置难以及时地将内部储存的籽晶放入或抽离金属热融液，其运行稳定性亦无法得到保障；

（4）传统的氮化镓单晶生长装置未对内部加热所产生的蒸汽进行过滤排放，且一般的阀门缺少警示标志，易酿成事故；

（5）传统的氮化镓单晶生长装置的金属材料放置皆需打开整个设备壳体，不便且繁琐，存在洒落的风险。

发明内容

本发明的目的在于提供一种氮化镓单晶生长装置，以解决上述背景技术中提出未对金属热熔液进行搅拌的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种氮化镓单晶生长装置，包括底座、壳体、加热阻丝和塞盖，底座的顶端固定连接有壳体，且壳体外侧的内部设置有加热阻丝，所述壳体内部的顶端固定连接有筒体，且筒体内部与壳体顶端之间的两侧分别设置有升降结构，所述筒体与壳体之间的两侧分别设置有遮挡结构，所述壳体顶端的内部活动连接有塞盖，所述壳体顶端的一侧设置有排气结构，所述壳体与筒体一侧之间的顶端固定连接有进水管，所述壳体与筒体一侧之间的底端固定连接有出水管，且出水管与进水管之间穿过筒体的内壁固定连接有螺旋盘管，所述壳体底端的四个拐角处分别固定连接有支柱，所述壳体内部的底端活动连接有加热台，且加热台的底端穿过壳体的内壁与底座固定连接有伺服电机，所述加热台的顶端固定连接有坩埚，且坩埚与壳体的一侧之间分别设置有进料结构，所述壳体与坩埚内部的一端之间分别设置有搅拌结构；

所述搅拌结构包括固定块，所述固定块分别固定连接在壳体内侧两端的底部，所述固定块一端的底部活动连接有转杆，且转杆的内部设置有多组滚动腔室，所述滚动腔室的内部活动连接有刷杆，所述坩埚内部的底端活动连接有扫杆。

优选的，所述遮挡结构由空心筒、卡块、活动杆、限位块、弹簧轴和挡板组成，所述空心筒分别固定连接在壳体内部顶端中间位置处的两侧，所述空心筒的内部穿过壳体的内壁活动连接有活动杆，且活动杆的底端固定连接有限位块，所述卡块分别固定连接在塞盖的两侧，所述挡板底端的两侧分别设置有挡板，且挡板与筒体的一端之间活动连接有弹簧轴。

优选的，所述活动杆嵌在空心筒的内部，所述活动杆与空心筒呈同心圆排列。