[发明专利]一种晶圆失效的分析方法及系统

权利要求书

1.一种晶圆失效的分析方法，其特征在于，其至少包括：

获取晶圆的芯片良率数据、线上测试数据和电性测试数据；

分析所述芯片良率数据，获取所述晶圆的失效区域；

分析每个所述晶圆上所述失效区域的失效情况，获取每个所述晶圆的晶圆区域良率；

将所述芯片良率数据、所述线上测试数据和所述电性测试数据与所述晶圆的原始设计图对应；

在所述晶圆上选取多个固定区域与选定区域，获取每个所述固定区域的中心坐标；

根据所述选定区域内多个失效区块到每个所述中心坐标的距离，获取每个所述固定区域的权重，所述固定区域的权重是依据以下公式来决定：

；

其中，Wi为所述固定区域的权重，dij为所述选定区域内所述失效区块到所述固定区域的所述中心坐标的距离，i为所述固定区域的标号，j为所述选定区域中所述失效区块的标号，取值范围为1~m，m为所述选定区域内的所述失效区块的数量；

根据所述固定区域的权重获取每个所述线上测试数据和所述电性测试数据的区域测量值，包括：

对所述固定区域的权重进行归一化处理，获取归一化权重，所述归一化权重是依据以下公式来决定：

；

其中，wi为所述归一化权重，Wi为所述固定区域的权重，Wmax为最大的所述固定区域的权重，Wmin为最小的所述固定区域的权重，i为所述固定区域的标号；

所述区域测量值是依据以下公式来决定：

；

其中，B为所述区域测量值，wi为所述归一化权重，vi为所述线上测试数据或所述电性测试数据；

将所述区域测量值与所述晶圆区域良率做相关性分析，获取所述晶圆的所述失效区块的影响因素。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆失效的分析方法，其特征在于，分析所述芯片良率数据，获取所述晶圆的所述失效区域的步骤包括：

选取一定数量的失效的所述晶圆，每个所述晶圆上包括多个所述失效区块；

获取每个所述失效区块的失效率，并设定第一阈值；

当所述失效区块的所述失效率大于所述第一阈值时，则将所述失效区块设定为所述失效区域。

3.根据权利要求2所述的一种晶圆失效的分析方法，其特征在于，每个所述失效区块的所述失效率为每个所述失效区块失效的晶圆数量与所述晶圆总数之比。

4.根据权利要求1所述的一种晶圆失效的分析方法，其特征在于，分析每个所述晶圆上所述失效区域的失效情况，获取每个所述晶圆的所述晶圆区域良率的步骤包括：

获取每个所述晶圆在所述失效区域内的所述失效区块的数量；

获取所述失效区域内所述失效区块的总数量；

所述晶圆区域良率为：

P=R1/R2；

其中，P为所述晶圆区域良率，R1为所述晶圆在所述失效区域内的所述失效区块的数量，R2为所述失效区域内所述失效区块的总数量。

5.根据权利要求1所述的一种晶圆失效的分析方法，其特征在于，在所述晶圆上选取多个所述固定区域和所述选定区域，获取每个所述固定区域的所述中心坐标的步骤是依据以下关系：

；

其中，（xi，yi）为某一固定区域的中心坐标，diexmax为某一固定区域x轴坐标最大值，diexmin为某一固定区域x轴坐标最小值，dieymax为某一固定区域y轴坐标最大值，dieymin为某一固定区域y轴坐标最小值，i为所述固定区域的标号。

6.根据权利要求1所述的一种晶圆失效的分析方法，其特征在于，所述选定区域内多个所述失效区块到每个所述中心坐标的距离为：

；

其中，dij为所述选定区域内所述失效区块到所述固定区域的所述中心坐标的距离，（xj，yj）为所述失效区块的坐标，（xi，yi）的为所述固定区域的所述中心坐标，i为所述固定区域的标号，j为所述选定区域中所述失效区块的标号，取值范围为1~m，m为所述选定区域内的所述失效区块的数量。

7.一种晶圆失效的分析系统，其特征在于，所述晶圆失效的分析系统用于执行权利要求1至权利要求6任一项所述晶圆失效的分析方法，且所述晶圆失效的分析系统包括：

接收端，用于获取晶圆的芯片良率数据、线上测试数据和电性测试数据；

失效区域定义模块，其与所述接收端电性连接，所述失效区域定义模块用于获取所述晶圆的失效区域；

数据处理模块，其与所述接收端和所述失效区域定义模块电性连接，所述数据处理模块包括区域测量值获取模块和晶圆区域良率获取模块，所述区域测量值获取模块用于获取所述线上测试数据和所述电性测试数据的区域测量值，所述晶圆区域良率获取模块用于获取每个所述晶圆的晶圆区域良率；

叠图制作模块，其与所述数据处理模块电性连接，所述叠图制作模块用于可视化显示所述晶圆的所述失效区块的影响因素；

输出端，其与所述数据处理模块和所述叠图制作模块电性连接，所述输出端用于输出所述晶圆失效的分析结果。