[发明专利]一种晶圆失效的分析方法及系统

说明书

本发明公开了一种晶圆失效的分析方法及系统，所述晶圆失效的分析方法包括：分析芯片良率数据，获取所述晶圆的失效区域；分析每个所述晶圆上所述失效区域的失效情况，获取每个所述晶圆的晶圆区域良率；实现所述芯片良率数据、所述线上测试数据和所述电性测试数据坐标的统一；在坐标统一的情况下获得选定区域中每个失效区块的权重；根据所述权重获取每个所述线上测试数据和所述电性测试数据的区域测量值；将所述区域测量值与所述晶圆区域良率做相关性分析，获取所述晶圆的所述失效区块的影响因素。通过本发明提供的一种晶圆失效的分析方法及系统，可提高分析结果的准确性。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，特别涉及一种晶圆失效的分析方法及系统。

背景技术

随着半导体元件日益高度集成，在研究及生产过程中，需要对所涉及的制程工艺做出必要的调整、变更或优化，以保证制作的半导体元件在高度集成的基础上获得较高的良率。通常在对半导体集成电路工艺进行调整、变更或优化的过程中，还需要对测试数据进行分析，以便于了解晶圆上制作的半导体集成电路的性能以及影响半导体性能的参数。目前对于针对晶圆的测试数据仍利用人工进行划分区域、统计及分析，并制作分析报告。但是，在做人工定义失效区域并不准确且耗时较长，且晶圆位置与测试数据的位置并不统一，易造成误差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆失效的分析方法及系统，通过本发明提供的所述晶圆失效的分析方法及系统，提高获取晶圆失效的影响因素的精度以及速度。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种晶圆失效的分析方法，其包括：

获取晶圆的芯片良率数据、线上测试数据和电性测试数据；

分析所述芯片良率数据，获取所述晶圆的失效区域；

分析每个所述晶圆上所述失效区域的失效情况，获取每个所述晶圆的晶圆区域良率；

将所述芯片良率数据、所述线上测试数据和所述电性测试数据与所述晶圆的原始设计图对应；

在所述晶圆上选取多个固定区域和选定区域，获取每个所述固定区域的中心坐标；

根据所述选定区域内多个失效区域到每个所述中心坐标的距离，获取每个所述固定区域的权重；

根据所述固定区域的权重获取每个所述线上测试数据和所述电性测试数据的区域测量值；

将所述区域测量值与所述晶圆区域良率做相关性分析，获取所述晶圆的所述失效区块的影响因素。

在本发明一实施例中，分析所述芯片良率数据，获取所述晶圆的所述失效区域的步骤包括：

选取一定数量的失效的所述晶圆，每个所述晶圆上包括多个所述失效区块；

获取每个所述失效区块的失效率，并设定第一阈值；

当所述失效区块的所述失效率大于所述第一阈值时，则将所述失效区块设定为所述失效区域。

在本发明一实施例中，每个所述失效区块的所述失效率为每个所述失效区块失效的晶圆数量与所述晶圆总数之比。

在本发明一实施例中，分析每个所述晶圆上所述失效区域的失效情况，获取每个所述晶圆的所述晶圆区域良率的步骤包括：

获取每个所述晶圆在所述失效区域内的所述失效区块的数量；

获取所述失效区域内所述失效区块的总数量；

所述晶圆区域良率为：

P=R1/R2；