[发明专利]一种肖特基芯片IV不良曲线的测试筛选方法

权利要求书

1.一种肖特基芯片IV不良曲线的测试筛选方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）将待检测肖特基芯片放置于探针台的测试盘上，通过探针台自动调整肖特基芯片的水平度；

2）通过探针台预设的影像定位肖特基芯片上第一颗管芯；

3）测试盘向上移动至与探针台上测试探针接触；

4）通过探针台上测试盒给出的1mA电流，判断测试探针是否与第一颗管芯接触；

4.1）如果探针台显示测试探针与第一颗管芯接触良好；

4.11）测试盒给出50uA的反向电流，测试反向电压，测试盒记录其在50uA的反向电流下的反向电压数值；设反向电压数值为C；

4.12）测试盒给出100uA的反向电流，测试反向电压，测试盒记录其在100uA的反向电流下的反向电压数值；设反向电压数值为A；

4.13）测试盒给出500uA的反向电流，测试反向电压，测试盒记录其在500uA的反向电流下的反向电压数值；设反向电压数值为B；

4.14）测试盒给出1mA的反向电流，测试反向电压，测试盒记录其在1mA的反向电流下的反向电压数值；

4.15）测试盒给出反向电压，测试出第一颗管芯的反向电流；测试盒记录其反向电流的数值；

4.16）测试盒给出10mA的正向电流，测试正向电压；测试盒记录10mA的正向电流下的正向电压数值；

4.17）测试盒给出100mA的正向电流，测试正向电压；测试盒记录100mA的正向电流下的正向电压数值；

4.18）测试盒给出1A的正向电流，测试正向电压；测试盒记录1A的正向电流下的正向电压数值；

4.19）测试盒给出3A的正向电流，测试正向电压；测试盒记录3A的正向电流下的正向电压数值；

4.20）测试盒给出5A的正向电流，测试正向电压；测试盒记录5A的正向电流下的正向电压数值；

当步骤4.11）至步骤4.20）所记录的数值分别在设定的取值范围内时，执行下一步骤；如果不符合其中任何一项设定的取值范围时，打标；

4.21）取步骤4.12）的反向电压数值A；

取步骤4.13）的反向电压数值B；

计算|A-B|的绝对值，设其绝对值为D；

4.211）当数值D大于1时，IV曲线不良；

4.212）当数值D小于1时，IV曲线不存在异常；

4.22）取步骤4.11）的反向电压数值C；

计算|A-C|的绝对值，设其绝对值为E；

4.221）当数值E大于1时，IV曲线不良；

4.222）当数值E小于1时，IV曲线不存在异常；

4.23）当步骤4.212）和步骤4.222）同时符合时，第一颗管芯合格；

当符合步骤4.211）和/或步骤4.221）时，第一颗管芯不合格，在第一颗管芯上打标；

5）步骤4.23）完成后，测试盘将第二颗管芯移动至测试 探针的下方，跳转步骤3），依次往下检测。

2.根据权利要求1所述的一种肖特基芯片IV不良曲线的测试筛选方法，其特征在于，步骤4）中，如果探针台显示测试探针与第一颗管芯接触不良时，探测台将第一颗管芯打标，探针台将第二颗管芯移动至测试 探针下方，跳转步骤3），依次往下检测。