[发明专利]一种肖特基芯片IV不良曲线的测试筛选方法

说明书

一种肖特基芯片IV不良曲线的测试筛选方法,涉及一种芯片测试工艺。测试盒给出50uA、100uA和500uA的反向电流，测试反向电压，并分别记录其反向电压数值为C、A和B；然后测试盒给出1mA的反向电流、10mA的正向电流、100mA的正向电流、1A的正向电流、3A的正向电流、5A的正向电流；计算|A‑B|的绝对值，设其绝对值为D；当数值D大于1时，IV曲线不良当数值D小于1时，IV曲线不存在异常；本发明步骤可快速、自动的对SBD芯片进行全检，降低了在客户端使用时产生曲线异常的概率。

技术领域

本发明涉及一种芯片测试工艺，尤其涉及一种肖特基芯片IV不良曲线的测试筛选方法。

背景技术

SBD（肖特基芯片）背面工艺完成后，需进入探针台进行电性测试，将电性不良品筛选出，并做上相应的标记；在测试过程中，需设置不同电流及电压，测试出对应的参数，并通过计算从而达到筛选的目的。

目前检测采用370A曲线测试仪抽检IV曲线，检测步骤为:

1.将SBD芯片放置在手动探针台的台盘上，并打开台盘真空；

2.将370A检测仪反向电压调整至10V或20V（根据产品类型），反向电流调整至20uA；

3.用检测笔点击芯片上的管芯；

4.观察曲线是否异常；

4.1若正常则测试下一颗；

4.2若不正常，则将此管芯周边一圈的管芯进行全测；

4.3将异常管芯进行打点；

此种检测方式不能完全达到异常不流出的效果，最终造成批次产品合格率降低，客户使用前需预检，增加了客户生产成本，降低了产品生产效率。

发明内容

本发明针对以上问题，提供了一种高效检测、提升批次产品品质及后道工序产品封装良率的一种肖特基芯片IV不良曲线的测试筛选方法。

本发明的技术方案是：一种肖特基芯片IV不良曲线的测试筛选方法，包括以下步骤：

1）将待检测肖特基芯片放置于探针台的测试盘上，通过探针台自动调整肖特基芯片的水平度；

2）通过探针台预设的影像定位肖特基芯片上第一颗管芯；

3）测试盘向上移动至与探针台上测试探针接触；

4）通过探针台上测试盒给出的1mA电流，判断测试探针是否与第一颗管芯接触；

4.1）如果探针台显示测试探针与第一颗管芯接触良好；

4.11）测试盒给出50uA的反向电流，测试反向电压，测试盒记录其在50uA的反向电流下的反向电压数值；设反向电压数值为C；

4.12）测试盒给出100uA的反向电流，测试反向电压，测试盒记录其在100uA的反向电流下的反向电压数值；设反向电压数值为A；

4.13）测试盒给出500uA的反向电流，测试反向电压，测试盒记录其在500uA的反向电流下的反向电压数值；设反向电压数值为B；

4.14）测试盒给出1mA的反向电流，测试反向电压，测试盒记录其在1mA的反向电流下的反向电压数值；

4.15）测试盒给出反向电压，测试出第一颗管芯的反向电流；测试盒记录其反向电流的数值；

4.16）测试盒给出10mA的正向电流，测试正向电压；测试盒记录10mA的正向电流下的正向电压数值；

4.17）测试盒给出100mA的正向电流，测试正向电压；测试盒记录100mA的正向电流下的正向电压数值；