[发明专利]高压可控硅无线触发设备

权利要求书

1.一种高压可控硅无线触发设备，包括晶闸管SCR的RC吸收回路，其特征在于，还包括控制单元、第一无线通信单元、第二无线通信单元及高压取能触发单元；

控制单元与第一无线通信单元通信连接并集成于同一电路板，第一无线通信单元与第二无线通信单元无线连接，控制单元用于通过第一无线通信单元将晶闸管触发信号发送给第二无线通信单元；

第二无线通信单元与高压取能触发单元通信连接并集成于同一电路板，高压取能触发单元还连接RC吸收回路，高压取能触发单元用于通过RC吸收回路将能量储存在电容中，在接收到第二无线通信单元发送的晶闸管触发信号后将储存在电容中的能量释放以触发晶闸管SCR。

2.如权利要求1所述的高压可控硅无线触发设备，其特征在于，第一无线通信单元及第二无线通信单元均为内嵌MCU的2.4G射频单元。

3.如权利要求1所述的高压可控硅无线触发设备，其特征在于，高压取能触发单元包括取能模块和触发模块；

取能模块分别连接RC吸收回路、触发模块，取能模块用于通过RC吸收回路将能量储存在电容中以对触发模块供电；

触发模块连接晶闸管SCR的门级，用于触发晶闸管SCR。

4.如权利要求3所述的高压可控硅无线触发设备，其特征在于，取能模块包括整流器DB、稳压二极管D1、晶闸管D2、电阻R2～R3及电容C2～C3；

晶闸管SCR的一端经RC吸收回路连接整流器DB的一交流输入端，整流器DB的另一交流输入端连接晶闸管SCR的另一端，整流器DB的直流输出端正极依次经稳压二极管D1、电阻R2接地，整流器DB的直流输出端正极还分别经晶闸管D2、电容C3接地，稳压二极管D1与电阻R2的公共端经电阻R2连接晶闸管D2的门级，稳压二极管D1与电阻R2的公共端还经电容C2接地，整流器DB的直流输出端负极接地，电容C3与触发模块并联。

5.如权利要求4所述的高压可控硅无线触发设备，其特征在于，触发模块包括变压器T1、三极管Q1及整流输出电路；

整流器DB的直流输出端正极依次经变压器T1的原边、三极管Q1接地，三极管Q1的基极连接第二无线通信单元，变压器T1的副边经整流输出电路连接晶闸管SCR的门级。

6.如权利要求5所述的高压可控硅无线触发设备，其特征在于，触发模块还包括三极管Q2、二极管D3及电容C4；

变压器T1原边远离整流器DB的一端依次经二极管D3的正极、二极管D3的负极、电容C4连接变压器T1原边的另一端，三极管Q2与二极管D3并联，三极管Q2的基极连接第二无线通信单元。

7.如权利要求6所述的高压可控硅无线触发设备，其特征在于，触发模块还包括电阻R4～R5，电阻R4接入三极管Q1与第二无线通信单元之间，电阻R5接入三极管Q2与第二无线通信单元之间。