[发明专利]高压可控硅无线触发设备在审
申请号: | 202011421393.5 | 申请日: | 2020-12-08 |
公开(公告)号: | CN112542036A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 刘小康;杜元刚;黄启新;王惠亮;吴思思 | 申请(专利权)人: | 大力电工襄阳股份有限公司 |
主分类号: | G08C17/02 | 分类号: | G08C17/02;H03K17/722;H02M1/06 |
代理公司: | 武汉红观专利代理事务所(普通合伙) 42247 | 代理人: | 李季 |
地址: | 441000 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高压 可控硅 无线 触发 设备 | ||
本发明提出了一种高压可控硅无线触发设备,包括晶闸管SCR的RC吸收回路、控制单元、第一无线通信单元、第二无线通信单元及高压取能触发单元。本发明以无线的方式解决了高压系统中晶闸管高压触发电路与弱电控制系统之间高低压电气隔离的问题,减少了调试和施工现场的布线工作,使系统更简洁高效,减少了高压配电室施工现场柜体的摆放位置限制。
技术领域
本发明涉及晶闸管触发技术领域,尤其涉及一种高压可控硅无线触发设备。
背景技术
目前,单只晶闸管耐压水平能达到9000V,但是对于电力系统来说,其耐压水平仍不能满足要求。为了满足晶闸管为主回路核心器件的静止变频器高电压要求,在装置中晶闸管一般都是串联使用的,为了保证串联晶闸管安全运行,其外围还有复杂的外围电路,构成晶闸管高位触发电路。由于处于高电压下,晶闸管触发信号的传输研究成为晶闸管可靠运行的关键。
高压同步静止变频应用于高压系统时,其触发信号的控制系统属于低压弱电系统,必须通过高低压电气隔离技术解决高低压电气隔离和电磁干扰问题,传统的触发设备由于电气隔离问题不能很好地应用于高压系统。
发明内容
有鉴于此,本发明提出了一种高压可控硅无线触发设备,以解决传统高压可控硅触发设备中晶闸管高位触发电路与弱电控制系统电气隔离的问题。
本发明的技术方案是这样实现的:一种高压可控硅无线触发设备,包括晶闸管SCR的RC吸收回路、控制单元、第一无线通信单元、第二无线通信单元及高压取能触发单元;
控制单元与第一无线通信单元通信连接并集成于同一电路板,第一无线通信单元与第二无线通信单元无线连接,控制单元用于通过第一无线通信单元将晶闸管触发信号发送给第二无线通信单元;
第二无线通信单元与高压取能触发单元通信连接并集成于同一电路板,高压取能触发单元还连接RC吸收回路,高压取能触发单元用于通过RC吸收回路将能量储存在电容中,在接收到第二无线通信单元发送的晶闸管触发信号后将储存在电容中的能量释放以触发晶闸管SCR。
可选的,第一无线通信单元及第二无线通信单元均为内嵌MCU的2.4G射频单元。
可选的,高压取能触发单元包括取能模块和触发模块;
取能模块分别连接RC吸收回路、触发模块,取能模块用于通过RC吸收回路将能量储存在电容中以对触发模块供电;
触发模块连接晶闸管SCR的门级,用于触发晶闸管SCR。
可选的,取能模块包括整流器DB、稳压二极管D1、晶闸管D2、电阻R2~R3及电容C2~C3;
晶闸管SCR的一端经RC吸收回路连接整流器DB的一交流输入端,整流器DB的另一交流输入端连接晶闸管SCR的另一端,整流器DB的直流输出端正极依次经稳压二极管D1、电阻R2接地,整流器DB的直流输出端正极还分别经晶闸管D2、电容C3接地,稳压二极管D1与电阻R2的公共端经电阻R2连接晶闸管D2的门级,稳压二极管D1与电阻R2的公共端还经电容C2接地,整流器DB的直流输出端负极接地,电容C3与触发模块并联。
可选的,触发模块包括变压器T1、三极管Q1及整流输出电路;
整流器DB的直流输出端正极依次经变压器T1的原边、三极管Q1接地,三极管Q1的基极连接第二无线通信单元,变压器T1的副边经整流输出电路连接晶闸管SCR的门级。
可选的,触发模块还包括三极管Q2、二极管D3及电容C4;
变压器T1原边远离整流器DB的一端依次经二极管D3的正极、二极管D3的负极、电容C4连接变压器T1原边的另一端,三极管Q2与二极管D3并联,三极管Q2的基极连接第二无线通信单元。
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