[发明专利]超薄晶圆贴合作业控制装置

说明书

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种超薄晶片贴合作业控制装置。超薄晶片贴合作业控制装置包括：承载台，承载台的工作面上设有载片；晶圆吸持装置，晶圆吸持装置包括一侧开口的吸持腔体，吸持腔体的开口侧朝向承载台的工作面；吸持腔体开口侧的周围设有真空吸口；气流控制装置，气流控制装置与吸持腔体连通，用于控制吸持腔体中的气压；控速移行装置，控速移行装置与晶圆吸持装置连接，用于带动晶圆吸持装置移行；真空制造装置，真空制造装置连通真空吸口，用于使得晶圆吸附在吸持腔体的开口侧。本申请提供的超薄晶片贴合作业控制装置，可以避免在贴合作用过程中，晶圆受周边气流影响而产生不规则形变的问题。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种超薄晶片贴合作业控制装置。

背景技术

随着电子信息类产品对于性能提升的需求越来越高，对于有限空间内芯片的集成度要求也越来越高，这便要求芯片要做到更小更薄。为了进一步加大批次生产芯片的产出量，降低生产成本，用来制作芯片的衬底晶圆一直在增大，从4寸，6寸，8寸逐步过渡到目前主流的12寸衬底晶圆。

随着衬底晶圆的加大，也带来了更多的技术难点。其中之一就是应对晶圆翘曲带来的相关问题。例如，在功率器件芯片生产过程中，为了不断地提升功率器件的性能，需要在越来越薄的衬底晶圆上进行加工；进而需要通过背面减薄工艺将原始12寸衬底晶圆进行磨削，减少晶圆厚度，晶圆背面减薄工艺进一步放大晶圆翘曲带来的问题。

为了解决这个问题，相关工艺引入了载片技术，即使用一张和晶圆大小一致，硬度更大的载片，通过将该载片与晶圆贴合后进行作业。这样可以达到厚片晶圆作业的效果。

相关技术中在进行晶圆与载片的贴合作业时，是通过晶圆吸持装置，吸持并移动晶圆至载片上，但是对于超薄晶片，其相对于常规厚度的晶圆，自身硬度减弱，在贴合作用过程中，晶圆易受周边气流影响产生不规则形变，导致晶圆与载片不能形成紧密贴合，进而影响后续工艺作业。

发明内容

本申请提供了一种超薄晶片贴合作业控制装置，可以避免在贴合作用过程中，晶圆受周边气流影响而产生不规则形变的问题。

本申请提供一种超薄晶片贴合作业控制装置，所述超薄晶片贴合作业控制装置包括：

承载台，所述承载台的工作面上设有载片；

晶圆吸持装置，所述晶圆吸持装置包括一侧开口的吸持腔体，所述吸持腔体的开口侧朝向所述承载台的工作面；所述吸持腔体开口侧的周围设有真空吸口；

气流控制装置，所述气流控制装置与所述吸持腔体连通，用于控制所述吸持腔体中的气压；

控速移行装置，所述控速移行装置与所述晶圆吸持装置连接，用于带动所述晶圆吸持装置移行；

真空制造装置，所述真空制造装置连通所述真空吸口，用于使得晶圆吸附在所述吸持腔体的开口侧。

可选的，所述气流控制装置包括气流输入通路；

所述气流输入通路，用于从所述吸持腔体中，向所述吸持腔体的开口侧输入稳定压力的气流。

可选的，所述气流输入通路，包括气动阀、压力控制流量计和喷头；

所述喷头设于所述吸持腔体中，用于根据压力控制流量计和气动阀的控制，向所述吸持腔体的开口侧喷射稳定压力的气流。

可选的，所述气动阀、压力控制流量计和喷头，按气流流向依次连通。

可选的，所述喷头位于所述吸持腔体的中部，用于向所述吸持腔体的的开口侧中部喷射气流。

可选的，所述气流控制装置包括气流输出通路；

所述气流输出通路，通过排出所述吸持腔体中的气体，调节所述吸持腔体中的气压。