[发明专利]高温电路器件的加工方法有效
申请号: | 202011425391.3 | 申请日: | 2020-12-09 |
公开(公告)号: | CN112236025B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 刘胜;苏婳 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H05K7/20 | 分类号: | H05K7/20;H05K5/00;H05K5/02;F02K9/96;G01K7/02;C23C16/06;C23C16/30;C23C16/56 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 罗敏清 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 高温 电路 器件 加工 方法 | ||
1.一种高温电路器件的加工方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1:获得实心体;
步骤2:在实心体上沉积第一层壳体,第一层壳体的熔点高于实心体的熔点;
步骤3:采用高于实心体熔点且低于第一层壳体熔点的温度熔去实心体;
步骤4:在所述第一层壳体表面沉积夹层,该夹层的熔点低于第一层壳体的熔点;
步骤5:在夹层表面沉积第二层壳体,第二层壳体的熔点高于夹层的熔点;
步骤6:在所述第二层壳体外壁上分布有多个测试点,在每个所述测试点处加工有从第二层壳体向第一层壳体方向延伸但不完全贯穿第一层壳体的第一孔;在所述第一孔中填充绝缘层,在绝缘层中沿第一孔长度方向设置多个第二孔并在每个第二孔中填充导电层;
步骤7:在所述第一层壳体内壁上与所述第一孔对应处加工有用于安设传感器的第一凹槽,所述第一凹槽尺寸与传感器大小相吻合且所述第一凹槽与所述第一孔相接;
步骤8:在所述第一凹槽中设置布线层,所述布线层的引线区一端与所述第二孔中的导电层电连接;
步骤9:采用高于夹层熔点且低于第一层壳体和第二层壳体熔点的温度熔去夹层;
步骤10:加工成型所述传感器并将所述传感器置于所述第一凹槽中,设置好的所述传感器与对应的第一凹槽中的布线层引线区的另一端电连接。
2.根据权利要求1所述的高温电路器件的加工方法,其特征在于,采用气相沉积法沉积第一层壳体、夹层和第二层壳体。
3.根据权利要求1所述的高温电路器件的加工方法,其特征在于,所述测试点沿所述第二层壳体外壁的环向和母线方向均匀分布。
4.根据权利要求1所述的高温电路器件的加工方法,其特征在于,所述实心体为轴对称的曲面形状。
5.根据权利要求1所述的高温电路器件的加工方法,其特征在于,第一层壳体和第二层壳体由熔点高于工作温度的金属、氧化物、碳化物、硼化物、氮化物以及硅化物中的一种或多种制成,夹层由熔点低于工作温度的石英、有机物或无机物材料制成。
6.根据权利要求1所述的高温电路器件的加工方法,其特征在于,所述绝缘层由熔点高于工作温度的氧化物、碳化物、硼化物、氮化物以及硅化物中的一种或多种制成,所述导电层由熔点高于工作温度的合金、金属、碳化铪、碳化钽中的一种或多种制成。
7.根据权利要求1所述的高温电路器件的加工方法,其特征在于,所述传感器为测温热电偶。
8.根据权利要求7所述的高温电路器件的加工方法,其特征在于,所述测温热电偶包括基片、与热电偶丝形状配合的第二凹槽、设置在所述第二凹槽中的热电偶以及设置在所述第二凹槽中且与热电偶电连接的补偿导线,所述补偿导线还与所述布线层电连接,其中,所述热电偶包括热端测温点以及分别与热端测温点电连接的热电偶正极和热电偶负极,所述补偿导线包括与热电偶正极电连接的补偿导线正极以及与热电偶负极电连接的补偿导线负极,所述补偿导线正负极分别与所述布线层引线区的另一端电连接。
9.根据权利要求8所述的高温电路器件的加工方法,其特征在于,在所述热电偶表面溅射抗氧化层,所述抗氧化层和所述补偿导线均由熔点高于工作温度的合金、金属、碳化铪、碳化钽中的一种或多种制成。
10.根据权利要求8所述的高温电路器件的加工方法,其特征在于,在所述基片设置有第二凹槽的表面上溅射耐火涂层,所述耐火涂层覆盖在所述测温热电偶上,所述耐火涂层由熔点高于工作温度、抗氧化且绝缘的氧化物、碳化物、硼化物、氮化物以及硅化物中的一种或多种制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学,未经武汉大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011425391.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。