[发明专利]辨别非(100)面氧化镓晶体有无孪晶的HRXRD测试方法有效
申请号: | 202011426046.1 | 申请日: | 2020-12-09 |
公开(公告)号: | CN112444529B | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 张胜男;王健;霍晓青;庞越;王新月;高彦昭;李轶男;徐世海 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
主分类号: | G01N23/207 | 分类号: | G01N23/207 |
代理公司: | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人: | 杨舒文 |
地址: | 300220*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 辨别 100 氧化 晶体 有无 hrxrd 测试 方法 | ||
一种辨别非(100)面氧化镓晶体有无孪晶的HRXRD测试方法,将非(100)面氧化镓晶体放置在设备样品台上;将入射狭缝宽度设为10mm~13mm;将2θ设定为31.738°对应晶面为(002);将样品从0°旋转至90°,旋转步长设定为0.1°~0.3°,记录(002)面衍射峰个数,样品台复位,然后以原点为中心在X‑Y平面上旋转180°,再以[010]晶向为轴将样品从0°旋转至90°,旋转步长设定为0.1°~0.3°,记录(002)面衍射峰个数;如果上述过程中,只探测到1个(002)面衍射峰,则判定测试区域内无孪晶,若探测到多个(002)面衍射峰,则判定测试区域内有孪晶;提高了效率、降低了成本。
技术领域
本发明涉及一种辨别非(100)面氧化镓晶体有无孪晶的HRXRD(高分辨X射线衍射)测试方法,属于半导体单晶材料测试技术领域,用于判定非(100)面氧化镓晶体中是否存在孪晶。
背景技术
氧化镓单晶(氧化镓)室温下的禁带宽度约为4.9 eV,击穿场强高达8MV/cm,Baliga优值(低损指数)为Si单晶的3000倍以上,是一种理想的耐高压、低损耗功率器件的衬底材料。氧化镓单晶材料可以采用熔体法进行制备,生长速率快、晶体质量高、成本低,具有广阔的应用前景。氧化镓单晶属于单斜晶系,a=1.223nm,b=0.304nm,c=0.58nm,各向异性显著,其中(100)面最易获得,但是无法进行同质外延,严重限制了其应用。同质外延所需的晶面均与(100)面存在夹角,在生长此类晶面的氧化镓晶体时就会产生孪晶。非(100)面氧化镓晶片中存在孪晶就会影响外延层的质量,因此,必须在使用前辨别该晶片中是否存在孪晶。
非(100)面氧化镓晶体孪晶条纹与生长条纹非常相似,不易辨别,通常需要经过切割、研磨和抛光等一系列加工工艺之后,再用微分干涉显微镜观察才能确定该晶体中是否存在孪晶,但是该方法需要的时间过长,并且观察孪晶条纹的准确程度较低,与研磨抛光质量密切相关。
发明内容
具有现有技术存在的不足,本发明提供了一种辨别非(100)面氧化镓晶体有无孪晶的高分辨X射线衍射测试方法,本方法很好地解决了无法直接辨别非(100)面氧化镓晶体中是否存在孪晶的问题。
本发明采用的技术方案是,一种辨别非(100)面氧化镓晶体有无孪晶的HRXRD测试方法,步骤如下:
a.将非(100)面氧化镓晶体放置在HRXRD设备的样品台上,使其边缘与x轴重合,并且[010]晶向平行于X轴方向;
b.将入射狭缝宽度设为10mm~13mm,保证测试区域尽可能大;
c.将2θ设定为31.738°,对应晶面为(002),因为(002)面的峰强明显大(001)面,在测试过程中更容易检测到;
d.以[010]晶向为轴,将样品从0°旋转至90°,旋转步长设定为0.1°~0.3°,记录(002)面衍射峰个数,样品台复位,然后以原点为中心,在X-Y平面上旋转180°,再以[010]晶向为轴,将样品从0°旋转至90°,旋转步长设定为0.1°~0.3°,记录(002)面衍射峰个数;
e.如果上述过程中,只探测到1个(002)面衍射峰,则判定测试区域内无孪晶,若探测到多个(002)面衍射峰,则判定测试区域内有孪晶,因为生长面与孪晶面沿(100)面对称,且与(001)面呈不同的夹角,分别用α1和α2表示,若测试区域内有孪晶,则当样品台旋转至α1和α2时,均会出现衍射峰,若测试区域内无孪晶,则只有当样品台旋转至α1时会出现衍射峰;
f.将样品台复位,以狭缝宽度为步长、沿y轴移动样品,重复d~e,直至测试区域覆盖整个晶体,因为氧化镓晶体中孪晶是沿[010]方向贯穿的,若沿y轴方向移动样品,所有测试区域均无孪晶,则可以判定该晶体中不存在孪晶。
本发明的有益效果是:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所,未经中国电子科技集团公司第四十六研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011426046.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。