[发明专利]显示面板及其制备方法有效
申请号: | 202011426183.5 | 申请日: | 2020-12-09 |
公开(公告)号: | CN112542472B | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 任佳佩;李勃;孙慧宁;褚冉 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 王海臣 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板的制备方法,所述显示面板包括像素电路,所述像素电路包括薄膜晶体管,其特征在于,所述制备方法包括:
在第一绝缘层上制备凹槽;
在所述第一绝缘层上制备半导体层,所述半导体层填充所述凹槽;
去掉所述凹槽外的所述半导体层,得到倒梯形半导体结构;
控制激光按照第二变化规律照射所述倒梯形半导体结构的第二预定区域,以去除所述第二预定区域的所述倒梯形半导体结构,形成正梯形半导体结构和位于所述正梯形半导体结构两侧的三角形凹槽;所述第二变化规律为激光强度先递增后递减,减为零后保持第二预定时间,再先递增后递减;
在所述第一绝缘层和所述正梯形半导体结构上制备第三绝缘层,所述第三绝缘层填充所述三角形凹槽,并去除所述三角形凹槽外的所述第三绝缘层,以露出所述正梯形半导体结构;
在所述正梯形半导体结构上依次制备层间介质结构、第一金属结构、第二绝缘层和与所述正梯形半导体结构通过过孔电连接的第二金属结构,以形成所述薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述在第一绝缘层上制备凹槽包括:
利用激光照射所述第一绝缘层的第一预定区域,以去除所述第一预定区域的所述第一绝缘层,形成所述凹槽。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述利用激光照射所述第一绝缘层的第一预定区域,以去除所述第一预定区域的所述第一绝缘层,形成所述凹槽包括:
控制激光按照第一变化规律照射所述第一绝缘层的第一预定区域,以去除所述第一预定区域的所述第一绝缘层,形成倒梯形凹槽;所述第一变化规律为激光强度先递增,达到第一预定值后保持第一预定时间,再递减。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述去除所述三角形凹槽外的所述第三绝缘层包括:
采用干法刻蚀工艺去除所述三角形凹槽外的所述第三绝缘层。
5.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一绝缘层和所述第三绝缘层的材料相同。
6.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述正梯形半导体结构的坡度角为45°~75°。
7.根据权利要求1-6中任一所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述半导体层的材料包括铟镓锌氧化物。
8.一种显示面板,其特征在于,采用权利要求1-7中任一项所述的制备方法制备得到;所述显示面板包括像素电路,所述像素电路包括薄膜晶体管;所述薄膜晶体管包括:
第一绝缘层,包括凹槽;
半导体结构,填充所述凹槽,所述半导体结构为正梯形半导体结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的