[发明专利]显示面板及其制备方法

说明书

本申请提供了一种显示面板及其制备方法，解决了现有技术中像素电路中的薄膜晶体管的可靠性差的问题。显示面板的制备方法包括：在第一绝缘层上制备凹槽；在第一绝缘层上制备半导体层，半导体层填充凹槽；去掉凹槽外的半导体层，得到半导体结构；在半导体结构上依次制备层间介质结构、第一金属结构、第二绝缘层和与半导体结构通过过孔电连接的第二金属结构，以形成薄膜晶体管。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

显示面板通常包括像素电路，像素电路包括薄膜晶体管。现有技术中，通常采用湿法刻蚀工艺制备薄膜晶体管中的半导体结构。然而，由于湿法刻蚀工艺的不定向性，导致刻蚀后得到的半导体结构的坡度角、线宽等均一性差，影响薄膜晶体管的可靠性。

申请内容

有鉴于此，本申请实施例提供了一种显示面板及其制备方法，以解决现有技术中像素电路中的薄膜晶体管的可靠性差的问题。

本申请第一方面提供了一种显示面板的制备方法，显示面板包括像素电路，像素电路包括薄膜晶体管。制备方法包括：在第一绝缘层上制备凹槽；在第一绝缘层上制备半导体层，半导体层填充凹槽；去掉凹槽外的半导体层，得到半导体结构；在半导体结构上依次制备层间介质结构、第一金属结构、第二绝缘层和与半导体结构通过过孔电连接的第二金属结构，以形成薄膜晶体管。

在一个实施例中，在第一绝缘层上制备凹槽包括：利用激光照射第一绝缘层的第一预定区域，以去除第一预定区域的第一绝缘层，形成凹槽。

在一个实施例中，利用激光照射第一绝缘层的第一预定区域，以去除第一预定区域的第一绝缘层，形成凹槽包括：控制激光按照第一变化规律照射第一绝缘层的第一预定区域，以去除第一预定区域的第一绝缘层，形成倒梯形凹槽；第一变化规律为激光强度先递增，达到第一预定值后保持第一预定时间，再递减。

在一个实施例中，得到的半导体结构为倒梯形半导体结构。在去掉凹槽之外的半导体层之后，还包括：控制激光按照第二变化规律照射倒梯形半导体结构的第二预定区域，以去除第二预定区域的倒梯形半导体结构，形成正梯形半导体结构和位于正梯形半导体结构两侧的三角形凹槽；第二变化规律为激光强度先递增后递减，减为零后保持第二预定时间，再先递增后递减；在第一绝缘层和正梯形半导体结构上制备第三绝缘层，第三绝缘层填充三角形凹槽，并去除三角形凹槽外的第三绝缘层，以露出正梯形半导体结构。在半导体结构上依次制备层间介质结构、第一金属结构、第二绝缘层和与半导体结构通过过孔电连接的第二金属结构，以形成薄膜晶体管包括：在正梯形半导体结构上依次制备层间介质结构、第一金属结构、第二绝缘层和与半导体结构通过过孔电连接的第二金属结构，以形成薄膜晶体管。

在一个实施例中，去除三角形凹槽外的第三绝缘层包括：采用干法刻蚀工艺去除三角形凹槽外的第三绝缘层。

在一个实施例中，第一绝缘层和第三绝缘层的材料相同。

在一个实施例中，正梯形半导体结构的坡度角为45°～75°。

在一个实施例中，半导体层的材料包括铟镓锌氧化物。

本申请第二方面提供了一种显示面板，包括像素电路，像素电路包括薄膜晶体管；薄膜晶体管包括：第一绝缘层，包括凹槽；半导体结构，填充凹槽。

在一个实施例中，半导体结构为正梯形半导体结构。

根据本申请提供的显示面板及其制备方法，通过在第一绝缘层内形成凹槽，在凹槽内形成半导体结构，克服了湿法刻蚀工艺可控性差的缺陷，提高了半导体结构线宽和坡度角的精确度，进而提升了薄膜晶体管的可靠性。

附图说明

图1为本申请第一实施例提供的显示面板的制备方法。

图2a-图2g为显示面板制备过程中得到的中间器件的结构示意图。