[发明专利]一种CLBO晶体抛光工艺

说明书

本发明涉及一种CLBO（CsLiB₆O₁₀硼酸铯锂）晶体的无水抛光工艺。该抛光工艺包括拉亮、粗抛和精抛三个工序，各工序使用的抛光辅料均不含水；拉亮工序采用蓖麻油及W1.0钻石粉混合液在聚氨酯盘拉亮去除砂眼并控制平行度；粗抛工序采用蓖麻油在沥青盘上抛光控制平面度、平行度、光洁度等指标；精抛工序采用无水试剂OPW在黑色绒布盘上抛光进一步优化光洁度。该工艺在保证产品平面度、光洁度等指标满足要求的前提下，解决了CLBO晶体传统含水抛光易吸潮开裂的技术难题。

技术领域

本发明涉及倍频晶体领域的抛光工艺，特别涉及一种CLBO无水抛光工艺。

背景技术

CLBO（CsLiB6O10硼酸铯锂）是一种综合性能优良、能产生多种倍频波长的新型非线性晶体材料，倍频激光性能稳定，光束质量好，具有倍频转换效率高、激光损伤阈值高的特点，其接收角、温度带宽和光谱宽度都很宽，离散角小，双折射适中，很容易产生2ω、3ω、4ω、5ω倍频激光输出；用CLBO晶体研制全固态紫外激光器的前景看好。

但在实际加工和应用过程中CLBO容易受到环境中水汽的影响，因此在表面加工过程的关键点是隔绝CLBO晶体与水及任何含水试剂接触。而传统的抛光工艺，在拉亮工序使用的氧化铈溶液、粗抛工序和精抛工序使用的钻石粉溶液都是与水进行相应配比后的抛光试剂，不适用于CLBO的加工。加工过程不能使用水剂，给加工带来一定的困难，尤其对于提升加工速率和表面质量是一个难题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种保证CLBO晶体进行表面加工不潮解开裂，提升加工效率和表面质量的抛光工艺。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种CLBO晶体无水抛光工艺，包括拉亮、粗抛和精抛三个工序，所有工序使用的抛光辅料均不含水；其工艺步骤如下：第一道拉亮在二轴机上使用蓖麻油和W1.0钻石粉混合液在聚氨酯盘拉亮去除砂眼并控制平行度；第二道粗抛在二轴机上使用蓖麻油在沥青盘上进行抛光，控制平面度、平行度、光洁度等加工指标；第三道精抛在二轴机上使用无水抛光液OPW在黑色绒布盘上进一步抛光，优化光洁度。

本发明具有以下优点：

1、采用无水抛光工艺，确保CLBO晶体在抛光过程中不发生潮解开裂；

2、晶体抛光效率高，表面质量好。

具体实施方式

以下结合尺寸为6.9×6.9×5的CLBO晶体抛光实施例对本发明作进一步说明：

加工设备：二轴机；

辅助材料：蓖麻油和W1.0钻石粉混合液、蓖麻油、无水抛光液OPW；

抛光过程：

拉亮工序：在二轴机上使用蓖麻油和W1.0钻石粉混合液在聚氨酯盘拉亮去除砂眼并控制平行度，经检验拉亮后晶体通光面两个面总的去除量为30μm；

粗抛工序：在二轴机上使用蓖麻油在沥青盘上进行抛光，控制平面度、平行度、光洁度等加工指标，经检验粗抛后晶体通光面两个面总的去除量为20μm；

精抛工序：在二轴机上使用无水抛光液OPW在黑色绒布盘上进一步抛光，优化光洁度。经检验精抛后晶体通光面两个面总的去除量小于1μm, 200倍显微镜下光洁度S/D 达10/5，平面度达λ/8。

综上，采取无水抛光工艺的6.9×6.9×5 CLBO晶体各项指标均能满足要求，并可获得高表面质量的CLBO晶体。