[发明专利]集成电路的互连结构

权利要求书

1.一种用于制造用于集成电路的互连结构的方法，所述集成电路包括：

第一绝缘层；

第二绝缘层，位于所述第一绝缘层上；

第三绝缘层，位于所述第二绝缘层上；

电接触件，穿过所述第一绝缘层；以及

部件，具有位于所述第二绝缘层中且被所述第二绝缘层覆盖的电接触区域，所述方法包括：

穿过所述第三绝缘层且与所述电接触区域垂直对齐地蚀刻第一开口，所述第一开口的蚀刻在到达所述电接触区域之前停止；

在所述第一开口中沉积第四绝缘层，并且覆盖所述第三绝缘层；

穿过所述第四绝缘层蚀刻第二开口，所述第二开口经由所述第一开口延伸穿过所述第三绝缘层；以及

通过用至少一种金属填充所述第二开口来形成所述互连结构的金属层级。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述电接触件具有位于所述第二绝缘层下方的上表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述集成电路还包括穿过所述第二绝缘层并且从对应的电接触件延伸到所述第三绝缘层的第一导电过孔。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

与蚀刻所述第二开口同时地蚀刻第三开口，每个第三开口均与所述第一过孔中的一个过孔垂直对齐并且延伸直到所述一个过孔。

5.根据权利要求4所述的方法，其中蚀刻所述第二开口包括：沉积第一光刻胶层，并将所述第一光刻胶层的曝光掩模与所述第一过孔对齐。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述集成电路包括覆盖所述电接触区域的第五绝缘层，并且蚀刻所述第二开口包括：直到所述第五绝缘层的第一蚀刻以及接下来的穿过所述第五绝缘层并直到所述电接触区域的第二蚀刻。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一蚀刻相对于所述第三绝缘层和所述第五绝缘层是选择性的。

8.根据权利要求4所述的方法，其中在第一蚀刻期间，所述第三开口被蚀刻直到所述第三层，然后在第二蚀刻期间，所述第三开口被蚀刻直到所述第一过孔。

9.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述第一开口包括：沉积光刻胶层，并将所述光刻胶层的曝光掩模与所述电接触区域对齐。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一开口具有的横向尺寸小于所述电接触区域的对应横向尺寸。

11.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述互连结构的所述金属层级包括：

沉积所述至少一种金属，以填充所述第二开口并覆盖所述第四绝缘层；以及

执行化学机械抛光直到所述第四绝缘层。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一绝缘层被设置在半导体层上，所述半导体层包括与对应的电接触件接触的电接触区域。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述部件的所述电接触区域是上接触区域，所述部件还包括与所述上接触区域垂直对齐的下接触区域，所述下接触区域与所述电接触件中的一个电接触件的顶部接触。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述部件是相变存储器的存储点、磁性存储器的存储点或者基于氧化物的电阻存储器的存储点中的一种。