[发明专利]集成电路的互连结构

说明书

本公开涉及集成电路的互连结构。例如，提供了一种用于制造用于集成电路的互连结构的方法。该集成电路包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。电接触件穿过第一绝缘层，并且具有电接触区域的部件位于第二绝缘层中。该方法包括与接触区域垂直对齐地在第三层中蚀刻第一开口。沉积第四绝缘层以填充开口，并且通过穿过第三绝缘层中的开口来蚀刻第二开口直到接触区域。通过用金属填充第二开口来形成金属层级。

技术领域

本发明总体上涉及集成电路，并且更具体地，涉及集成电路的互连结构以及用于制造这些互连结构的方法。

背景技术

众所周知，集成电路包括半导体层、位于半导体层上的绝缘层堆叠以及位于绝缘层堆叠上的互连结构。这些电路包括：电接触过孔，位于由半导体层形成的电接触区域上并与电接触区域接触，并且穿过绝缘层堆叠的一部分；以及至少一个电子部件，包括布置在绝缘层堆叠的中间层级处的电接触区域，位于电接触过孔顶部的层级与互连结构的第一金属层级(即，最接近半导体层的金属层级)之间。

发明内容

在以上公开的集成电路中，第一金属层级与电接触区域(布置在接触过孔顶部与第一金属层级之间)之间的已知电连接具有各种缺点。用于制造这些已知电连接的方法也有各种缺点。

需要解决这些已知电连接和/或其制造方法的全部或部分缺点。

一个实施例解决了如先前所公开的已知电连接的全部或部分缺点。

一个实施例解决了如前所公开的用于制造互连结构的第一金属层级和电接触区域之间的电连接的已知方法的全部或部分缺点。

一个实施例提供了一种用于制造互连结构的方法，包括以下连续步骤：

a)提供集成电路，该集成电路包括：第一绝缘层；位于第一层上的第二绝缘层；位于第二层上的第三绝缘层；穿过第一层的电接触件；以及其电接触区域位于第二层中且被该第二层的一部分覆盖的部件；b)穿过第三层且与接触区域垂直对齐地蚀刻第一开口，第一开口的蚀刻在接触区域之前停止；c)沉积第四绝缘层，以填充第一开口并覆盖第三层；d)穿过第四层蚀刻第二开口直到接触区域，使得第二开口经由第一开口穿过第三绝缘层；以及e)通过在第二开口中填充至少一种金属而形成互连结构的金属层级。

根据一个实施例，在步骤a)中，电接触件具有位于第二绝缘层下方的顶部。

根据一个实施例，在步骤a)中，集成电路还包括穿过第二绝缘层并从对应的电接触件延伸到所述第三层的第一导电过孔。

根据一个实施例，与步骤d)中的第二开口同时蚀刻第三开口，每个第三开口均与第一过孔中的一个过孔垂直对齐地被蚀刻并且直到所述第一过孔。

根据一个实施例，步骤d)包括：沉积第一光刻胶层，并将第一光刻胶层的曝光掩模与所述第一过孔对齐。

根据一个实施例，在步骤a)中，第五绝缘层覆盖接触区域，并且在步骤d)中，第二开口的蚀刻包括：直到所述第五层的第一蚀刻，以及接下来的穿过第五层并直到接触区域的第二蚀刻。

根据一个实施例，第一蚀刻相对于第三绝缘层和第五绝缘层是选择性的。

根据一个实施例，在步骤d)中，在第一蚀刻期间，第三开口被蚀刻直到第三层，然后在第二蚀刻期间，被蚀刻直到第一过孔。

根据一个实施例，步骤b)包括：沉积第二光刻胶层，并将第二光刻胶层的曝光掩模与所述接触区域对齐。

根据一个实施例，在步骤d)中，第一开口具有的横向尺寸小于接触区域的对应横向尺寸。

根据一个实施例，步骤e)包括：沉积至少一种金属，以填充第二开口并覆盖第四绝缘层，以及执行化学机械抛光步骤直到第四绝缘层。

根据一个实施例，在步骤a)中，第一绝缘层位于半导体层上，优选设置有与对应的电接触件接触的电接触区域。