[发明专利]半导体膜平面度计算方法、系统及半导体机台调整方法

权利要求书

1.一种半导体膜平面度的获取方法，其特征在于，包括：

获取半导体膜表面的多个测量点的位置坐标；

对多个所述测量点的位置坐标进行拟合，以得到所述半导体膜表面的拟合平面；

获取所述半导体膜表面多个待测测量点到所述拟合平面的垂直距离；

对多个所述垂直距离处理以得到所述半导体膜表面待测测量点的平面度；

所述“对多个所述垂直距离处理以得到所述半导体膜表面待测测量点的平面度”包括：

获取多个所述垂直距离的平均值；

获取所述待测测量点到所述拟合平面的垂直距离与所述平均值的差值，其中，所述差值用于表征所述半导体膜表面待测测量点的平面度。

2.根据权利要求1所述的获取方法，其特征在于，“获取半导体膜表面的多个测量点的位置坐标”包括：

获取所述半导体膜的至少三个测量点的位置坐标，且至少三个所述测量点不在同一条直线上。

3.根据权利要求2所述的获取方法，其特征在于，“对多个所述测量点的位置坐标进行拟合，以得到所述半导体膜表面的拟合平面”包括：对多个所述测量点的位置坐标根据平面方程z＝ax+by+c进行平面拟合，以得到平面拟合参数a、b和c，所述平面方程z＝ax+by+c所在的平面表征所述拟合平面。

4.根据权利要求3所述的获取方法，其特征在于，“对多个所述测量点的位置坐标根据平面方程z＝ax+by+c进行平面拟合，以得到平面拟合参数a、b和c”包括：

采用最小二乘法，对多个所述测量点的位置坐标根据平面方程z＝ax+by+c进行平面拟合，以得到平面拟合参数a、b和c。

5.根据权利要求4所述的获取方法，其特征在于，“获取所述半导体膜表面多个待测测量点到所述拟合平面的垂直距离”包括：

将多个所述待测测量点投影到所述拟合平面上以得到多个投影点，其中，每个所述待测测量点在垂直于所述拟合平面的方向上投影，多个所述待测测量点与多个所述投影点一一对应；

获取多个所述待测测量点与对应的所述投影点之间的垂直距离，以得到所述半导体膜表面多个所述待测测量点到所述拟合平面的垂直距离。

6.一种半导体膜平面度的获取系统，其特征在于，包括获取模块以及与所述获取模块连接的处理模块；

所述获取模块用于获取半导体膜表面的多个测量点的位置坐标；

所述处理模块用于对多个所述测量点的位置坐标进行拟合，以得到所述半导体膜表面的拟合平面；

所述获取模块还用于获取所述半导体膜表面多个待测测量点到所述拟合平面的垂直距离；

所述处理模块还用于对多个所述垂直距离处理以得到所述半导体膜表面待测测量点的平面度；

所述处理模块具体用于获取多个所述垂直距离的平均值；获取所述待测测量点到所述拟合平面的垂直距离与所述平均值的差值，其中，所述差值用于表征所述半导体膜表面待测测量点的平面度。

7.根据权利要求6所述的获取系统，其特征在于，所述处理模块通过最小二乘法拟合所述拟合平面的平面方程。

8.一种半导体机台的调整方法，其特征在于，包括：

在半导体机台上的晶圆表面形成半导体膜；

获取所述半导体膜表面的平面度；其中，所述半导体膜的平面度根据权利要求1-5任一项所述的半导体膜平面度的获取方法获取；

根据所述半导体膜的平面度调节所述半导体机台的位置。

9.根据权利要求8所述的调整方法，其特征在于，“获取所述半导体膜表面的平面度”包括：

根据所述半导体膜的待测测量点的平面度获取所述半导体膜表面的平面度分布图；

“根据所述半导体膜的平面度调节所述半导体机台的位置”包括：根据所述半导体膜的平面度分布图调整所述机台的位置。