[发明专利]半导体膜平面度计算方法、系统及半导体机台调整方法

说明书

本发明提供一种半导体膜平面度计算方法和系统及半导体机台调整方法。所述半导体膜平面度的获取方法包括，获取半导体膜表面的多个测量点的位置坐标，对多个所述测量点的位置坐标进行拟合，以得到所述半导体膜表面的拟合平面，获取所述半导体膜表面多个待测测量点到所述拟合平面的垂直距离，对多个所述垂直距离处理以得到所述半导体膜表面待测测量点的平面度。通过本发明所提供的半导体膜平面度的计算方法获取半导体膜的平面度工序简单，不需要对各个点的膜厚都进行测量，起到节约人力和物力，提高效率的作用。

技术领域

本发明涉及平面度计算方法领域，尤其涉及一种半导体膜平面度计算方法、系统及半导体机台调整方法。

背景技术

半导体膜是构成集成电路芯片上元件的基本材料。随着技术发展，大规模集成电路芯片上元件的集成度越来越高，对芯片的质量要求越来越高，对半导体膜平面度的要求也越来越高。而机台的位置会直接影响半导体膜的平面度，为了得到平面度在标准范围内的半导体膜，需要不断调整机台的位置。现有技术中，需要对半导体膜上各个点的膜厚进行测量，获得膜厚分布，通过比较机台在调整前后产出的半导体膜膜厚分布，不断对机台位置进行调整，最终使机台产出的半导体膜的平面度在标准范围内。这样不仅费时费力，还造成资源浪费。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体膜平面度计算方法、系统及半导体机台调整方法，以解决现有技术中，半导体膜平面度获取方法繁琐，费时费力且效率低的问题。

为了实现上述目的，本发明提供一种半导体膜平面度的获取方法，包括，获取半导体膜表面的多个测量点的位置坐标，对多个所述测量点的位置坐标进行拟合，以得到所述半导体膜表面的拟合平面，获取所述半导体膜表面多个待测测量点到所述拟合平面的垂直距离，对多个所述垂直距离处理以得到所述半导体膜表面待测测量点的平面度。

在一种可能的实施方式中，“获取半导体膜表面的多个测量点的位置坐标”包括，获取所述半导体膜的至少三个测量点的位置坐标，且至少三个所述测量点不在同一条直线上。

在一种可能的实施方式中，“对多个所述测量点的位置坐标进行拟合，以得到所述半导体膜表面的拟合平面”包括：对多个所述测量点的位置坐标根据平面方程z＝ax+by+c进行平面拟合，以得到平面拟合参数a、b和c，所述平面方程z＝ax+by+c所在的平面表征所述拟合平面。

在一种可能的实施方式中，“对多个所述测量点的位置坐标根据平面方程z＝ax+by+c进行平面拟合，以得到平面拟合参数a、b和c”包括，采用最小二乘法，对多个所述测量点的位置坐标根据平面方程z＝ax+by+c进行平面拟合，以得到平面拟合参数a、b和c。

在一种可能的实施方式中，“获取所述半导体膜表面多个待测测量点到所述拟合平面的垂直距离”包括，将多个所述待测测量点投影到所述拟合平面上以得到多个投影点，其中，每个所述待测测量点在垂直于所述拟合平面的方向上投影，多个所述待测测量点与多个所述投影点一一对应；获取多个所述待测测量点与对应的所述投影点之间的垂直距离，以得到所述半导体膜表面多个所述待测测量点到所述拟合平面的垂直距离。

在一种可能的实施方式中，所述“对多个所述垂直距离处理以得到所述半导体膜表面待测测量点的平面度”包括，获取多个所述垂直距离的平均值；获取所述待测测量点到所述拟合平面的垂直距离与所述平均值的差值，其中，所述差值用于表征所述半导体膜表面待测测量点的平面度。

本发明还提供一种半导体膜平面度的获取系统，所述获取系统包括获取模块以及与所述获取模块连接的处理模块，所述获取模块用于获取半导体膜表面的多个测量点的位置坐标，所述处理模块用于对多个所述测量点的位置坐标进行拟合，以得到所述半导体膜表面的拟合平面。所述获取模块还用于获取所述半导体膜表面多个待测测量点到所述拟合平面的垂直距离，所述处理模块还用于对多个所述垂直距离处理以得到所述半导体膜表面待测测量点的平面度。

在一种可能的实施方式中，所述处理模块通过最小二乘法拟合所述拟合平面的平面方程。