[发明专利]一种改善电子元器件抗静电性能的表面处理方法

权利要求书

1.一种改善电子元器件抗静电性能的表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）深冷处理：

将电子元器件浸入液氮中进行深冷处理，处理20~30min后取出保存于低温环境中备用；

（2）电晕处理：

将步骤（1）中深冷处理后的电子元器件放入电晕放电仪中进行电晕处理，电晕处理30~40s后取出备用；

（3）低温等离子体处理：

将步骤（2）中电晕处理后的电子元器件置于RF冷等离子体处理设备中，处理5~10min后取出电子元器件备用；

（4）涂覆处理：

将特制的抗静电涂料均匀的涂覆到步骤（3）中低温等离子体处理后的电子元器件的表面，完成后自然风干后备用。

2.根据权利要求1所述一种改善电子元器件抗静电性能的表面处理方法，其特征在于，步骤（1）中所述的低温环境为温度为-4~4℃的环境。

3.根据权利要求1所述一种改善电子元器件抗静电性能的表面处理方法，其特征在于，步骤（2）中所述的电晕处理时控制处理电压为10~20kV，电晕放电仪的输出功率为30~40kW。

4.根据权利要求1所述一种改善电子元器件抗静电性能的表面处理方法，其特征在于，步骤（3）中所述的冷等离子体处理时控制真空度为40~50Pa，气体流量为3~4L/min，处理功率为100~200W，温度为0~4℃。

5.根据权利要求1所述一种改善电子元器件抗静电性能的表面处理方法，其特征在于，步骤（4）中所述的特制的抗静电涂料中各成分及对应重量百分比为：环氧树脂56~64%、虫胶5~7%、石墨烯-生物质原料复合材料8.5~9.5%、硅油1.2~1.8%、丙二醇甲醚醋酸酯0.55~0.65%、聚二甲基硅氧烷0.82~0.88%，余量为水。

6.根据权利要求5所述一种改善电子元器件抗静电性能的表面处理方法，其特征在于，所述的石墨烯-生物质原料复合材料的制备，包括如下步骤：

S1. 将石墨烯、二环己基碳二亚胺和硅烷偶联剂按照重量比为1:8.5~9.5:22~28混匀后注入烧瓶中，然后将烧瓶置于水浴锅内进行恒温反应，82~88℃处理5~7h后，5500~6500rpm高速离心14~16min后得沉淀备用；

S2. 用铝箔纸将步骤S1中处理后的石墨烯进行单层包裹后置于Nd:YAG激光器内进行激光冲击处理，完成后取出备用；

S3.将生物质原料置于深冷式粉碎机内进行粉碎处理，控制深冷式粉碎机内的温度为-28~-22℃，粉碎后过70~90目筛得生物质粉末A备用；

S4. 将S3中所得的生物质粉末A浸入处理液A中，然后将浸有生物质粉末的处理液A置于微波环境中，进行微波-磁场耦合处理，完成后抽滤，烘干得生物质粉末B备用；

S5. 将处理液B用氨水调节pH至7.9~8.3后倒入电解槽内，然后将步骤S2处理后的石墨烯和步骤S4所得的生物质粉末B按照重量比为1:62~68共同投入到电解槽内，搅拌混匀后接通电源进行加热电离处理，控制加载电压为190~210V，电流为5.5~6.5A，温度为65~75℃，完成后过滤，纯水冲洗3~5次后，烘干即得石墨烯-生物质原料复合材料。

7.根据权利要求6所述一种改善电子元器件抗静电性能的表面处理方法，其特征在于，步骤S2中所述的激光冲击处理时激光器的波长为2.2~2.8μm，脉冲宽度为32~38ns，激光冲击功率密度为3.2~3.8GW/cm²，能量为17~19J。

8.根据权利要求6所述一种改善电子元器件抗静电性能的表面处理方法，其特征在于，步骤S4中所述的处理液A中各成分及对应重量百分比为：乙二胺1.2~1.8%、氢氧化钠0.75~0.85%、高锰酸钾0.45~0.55%、吐温60 7~8%，余量为纯水。