[发明专利]一种有机发光二极管显示器的像素排列结构在审
申请号: | 202011442168.X | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN112531005A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 赵潇 | 申请(专利权)人: | 赵潇 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
地址: | 622155 四川省绵*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光二极管 显示器 像素 排列 结构 | ||
1.一种有机发光二极管显示器的像素排列结构,其特征在于,所述有机发光二极管显示器的像素排列结构包括多个第一像素、多个第二像素和多个第三像素,其中:
仅有第一像素中心点存在的行和列相互保持垂直;
仅有第二像素中心点存在的列和仅有第三像素中心点存在的列相互平行;
所述第二像素和第三像素中心点共行不共列,且至少间距一定距离;所述第二像素与第二像素中心点间,第三像素和第三像素中心点间共列不共行,且至少间距一定距离;
一个第一像素被四个第一像素,两个第二像素和两个第三像素包围;一个第二像素被四个第一像素,两个第二像素和两个第三像素包围,一个第三像素被四个第一像素,两个第二像素和两个第三像素包围;
所述第一像素、第二像素和第三像素具有圆形或多边形形状,且彼此间距一定的距离。
2.如权利要求1所述的一种有机发光二极管显示器的像素排列结构,其特征在于,所述第一像素与第二像素与第三像素的数量比为2:1:1。
3.如权利要求1所述的一种有机发光二极管显示器的像素排列结构,其特征在于,所述第一像素为具有六边形结构的子像素,发出绿光G;所述第二像素为具有六边形结构的子像素,发出蓝光B;所述第三像素为具有四边形结构的子像素,发出红光R。
4.如权利要求1所述的一种有机发光二极管显示器的像素排列结构,其特征在于,所述四个第一像素P1、P2、P3和P4中心点连接构成矩形,且所述四个第一像素P1、P2、P3和P4中心点与该矩形四角重合。
5.如权利要求1所述的一种有机发光二极管显示器的像素排列结构,其特征在于,所述四个第一像素P1、P2、P3和P4中心点围成的矩形几何中心与第二像素P5中心点重合。
6.如权利要求1所述的一种有机发光二极管显示器的像素排列结构,其特征在于,所述两个第二像素P5、P6和两个第三像素P7、P8的中心点围成矩形,且所述两个第二像素P5、P6和两个第三像素P7、P8的中心点与该矩形四角重合。
7.如权利要求1所述的一种有机发光二极管显示器的像素排列结构,其特征在于,所述两个第二像素P5、P6和两个第三像素P7、P8中心点围成的矩形中,第二像素P5、P6中心连线上不存在其他像素;第三像素P7、P8中心连线上不存在其他像素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的