[发明专利]一种有机发光二极管显示器的像素排列结构在审
申请号: | 202011442168.X | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN112531005A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 赵潇 | 申请(专利权)人: | 赵潇 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
地址: | 622155 四川省绵*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光二极管 显示器 像素 排列 结构 | ||
本发明公开了一种有机发光二极管显示器的像素排列结构,所述有机发光二极管显示器的像素排列结构包括多个第一像素、多个第二像素和多个第三像素,其中:一个第一像素被四个第一像素,两个第二像素和两个第三像素包围;一个第二像素被四个第一像素,两个第二像素和两个第三像素包围,一个第三像素被四个第一像素,两个第二像素和两个第三像素包围。通过本发明提供的一种有机发光二极管显示器的像素排列结构能在有限的掩膜版孔径比条件下,通过设置子像素排列方式有效提升像素密度,从而提高显示器的解析度。
技术领域
本发明涉及有机发光二极管显示技术领域,尤其涉及一种有机发光二极管显示器的像素排列结构。
背景技术
随着显示技术的发展,人们对显示器的解析度提出了更高的要求,导致其上的像素数量随之增加,也增加了成本。其中:像素指一切显示器件用于显示图像的最小单位,每个像素可由子像素光学三原色的子像素构成,每个子像素或多个子像素可用栅极线,数据线或驱动电源线通过驱使发光来驱动每个像素,子像素的形状由精细金属掩膜版直接决定,像素之间通过绝缘封装层划分。
OLED显示器件是一种基于有机发光二极管的自发光显示器材,相比于LCD具有自发光,高亮,高响应,低重量的特点,包括OLED显示器件的像素发光层在内都可以通过掩膜版沉积形成,但当像素密度提高时,掩膜版的开孔率提高,可靠性下降。
因此,如何在有限的掩膜版孔径比条件下,通过设置子像素排列方式有效提升像素密度来提高显示器解析度,是一个亟需解决的技术问题。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供了一种有机发光二极管显示器的像素排列结构,所述有机发光二极管显示器的像素排列结构包括多个第一像素、多个第二像素和多个第三像素,其中:仅有第一像素中心点存在的行和列相互保持80°~100°间的夹角;仅有第二像素中心点存在的列和仅有第三像素中心点存在的列相互平行;所述第一像素不单独和第二像素、第三像素中心点共行或和共列;但分别在大致45°和135°方向上同时和第二像素与第三像素中心点在一条直线重合;所述第二像素和第三像素中心点共行不共列,且至少间距一定距离;但分别在大致45°和135°方向上同时和第二像素与第三像素中心点在一条直线重合;一个第一像素被四个第一像素,两个第二像素和两个第三像素包围;一个第二像素被四个第一像素,两个第二像素和两个第三像素包围,一个第三像素被四个第一像素,两个第二像素和两个第三像素包围;所述第一像素、第二像素和第三像素具有多边形形状,且彼此间距一定的距离。
优选的,所述第一像素与第二像素与第三像素的数量比为2:1:1。
优选的,所述第一像素为具有六边形结构的子像素,发出绿光G;所述第二像素为具有六边形结构的子像素,发出蓝光B;所述第三像素为具有四边形结构的子像素,发出红光R。
优选的,以第一像素P1为中心,在第一像素水平正方向上中心距长度为L5的距离上构建第二个第一像素;在P1,P2的共列方向上中心距离L6的方向上构建P3,P4。
优选的,在P1的45°,315°且中心距L2,L4正方向上分别构建两个第三像素P5,P6。
优选的,在P1的135°,225°且中心距L1,L3正方向上分别构建两个第三像素P7,P8。
优选的,所述四个第一像素P1、P2、P3和P4中心点连接构成矩形,且所述四个第一像素P1、P2、P3和P4中心点与该矩形四角重合。
优选的,所述四个第一像素P1、P2、P3和P4中心点围成的矩形几何中心与第二像素P5中心点重合。
优选的,所述两个第二像素P5、P6和两个第三像素P7、P8的中心点围成矩形,且所述两个第二像素P5、P6和两个第三像素P7、P8的中心点与该矩形四角重合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的