[发明专利]显示面板有效
申请号: | 202011442607.7 | 申请日: | 2020-12-08 |
公开(公告)号: | CN112563435B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 林国栋;陈宪泓;林意惠 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H10K50/82 | 分类号: | H10K50/82;H10K59/65;H10K59/12 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 傅磊;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,包括:
一基板;
一像素阵列层,设置于该基板上,并具有多个发光区与多个非发光区,其中该像素阵列层包括多个电致发光层,而该些电致发光层分别位于该些发光区;以及
一阴极,设置于该像素阵列层上,并电性连接该些电致发光层,其中该阴极在该发光区的厚度大于该阴极在该非发光区的厚度,且该阴极在该发光区的厚度与该阴极在该非发光区的厚度相差在1纳米至22纳米之间,其中该阴极包括:
一混合层,设置于该像素阵列层上,并具有一上表面;
多个导电层,设置于该混合层上,并分布于该些发光区,其中该些导电层分别与该些电致发光层重叠,并且不覆盖在该些发光区以外的该上表面的至少一部分。
2.如权利要求1所述的显示面板,其中该阴极在该发光区的厚度介于16纳米至30纳米之间。
3.如权利要求1或2所述的显示面板,其中该阴极在该非发光区的厚度介于8纳米至15纳米之间。
4.如权利要求1所述的显示面板,其中该混合层分布于该些发光区与该些非发光区。
5.如权利要求4所述的显示面板,其中该混合层与该导电层皆包括一第一金属材料,而该混合层还包括一第二金属材料,其中该第二金属材料的表面能小于该第一金属材料的表面能。
6.如权利要求5所述的显示面板,其中该混合层中的该第二金属材料的体积百分比在10%以下。
7.如权利要求4所述的显示面板,其中各该电致发光层包括一电子传输层,该混合层与该导电层皆包括一第一金属材料,而该混合层还包括一第二金属材料,其中该第二金属材料的最低未占分子轨域介于该电子传输层与该第一金属材料两者的最低未占分子轨域之间。
8.如权利要求4所述的显示面板,其中该阴极还包括一缓冲层,该缓冲层设置于该像素阵列层上,并且分布于该些非发光区,其中该混合层覆盖该缓冲层。
9.如权利要求1所述的显示面板,其中该混合层分布于该些非发光区,但不分布于该些发光区,而该些导电层电性连接该混合层,其中各该导电层的厚度大于该混合层的厚度。
10.如权利要求9所述的显示面板,其中该混合层与各该导电层皆包括一第一金属材料,而该混合层还包括一第二金属材料,其中该第二金属材料的表面能小于该第一金属材料的表面能。
11.如权利要求10所述的显示面板,其中该混合层中的该第二金属材料的体积百分比在10%以下。
12.如权利要求9所述的显示面板,其中各该电致发光层包括一电子传输层,该混合层与各该导电层皆包括一第一金属材料,而该混合层还包括一第二金属材料,其中该第二金属材料的最低未占分子轨域介于该电子传输层与该第一金属材料两者的最低未占分子轨域之间。
13.如权利要求9所述的显示面板,其中该阴极还包括一缓冲层,该缓冲层设置于该像素阵列层上,并且分布于该些非发光区,其中该混合层覆盖该缓冲层。
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