[发明专利]显示面板

说明书

一种显示面板包括基板、像素阵列层与阴极。像素阵列层设置于基板上，并具有多个发光区与多个非发光区。像素阵列层包括多个电致发光层，而这些电致发光层分别位于这些发光区。阴极设置于像素阵列层上，并电性连接这些电致发光层。阴极在发光区的厚度大于阴极在非发光区的厚度，且阴极在发光区的厚度与阴极在非发光区的厚度相差在1纳米至22纳米之间。

技术领域

本发明涉及一种显示面板，且特别涉及一种自发光显示面板(self-luminousdisplay panel)。

背景技术

现今已有移动装置(mobile device)，例如智能手机，采用有机发光二极管显示面板(Organic Light Emitting Diode Display Panel，OLED Display Panel)作为显示屏幕，其中有的智能手机内部会在有机发光二极管显示面板下方装设影像感光元件，让使用者可从显示屏幕进行拍照或摄影。因此，在上述智能手机中，有机发光二极管显示面板通常采用由透明导电层，例如铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)，所制成的电极，以使外界光线能通过有机发光二极管显示面板而入射至影像感光元件，让智能手机能执行拍照或摄影的功能。

发明内容

本发明至少一实施例提供一种显示面板，其包括厚度不均匀一致的阴极。

本发明至少一实施例所提供的显示面板包括基板、像素阵列层与阴极。像素阵列层设置于基板上，并具有多个发光区与多个非发光区，其中像素阵列层包括多个电致发光层，而这些电致发光层分别位于这些发光区。阴极设置于像素阵列层上，并电性连接这些电致发光层，其中阴极在发光区的厚度大于阴极在非发光区的厚度，且阴极在发光区的厚度与阴极在非发光区的厚度相差在1纳米至22纳米之间。

在本发明至少一实施例中，上述阴极在发光区的厚度介于16纳米至30纳米之间。

在本发明至少一实施例中，上述阴极在非发光区的厚度介于8纳米至15纳米之间。

在本发明至少一实施例中，上述阴极包括混合层与多个导电层。混合层设置于像素阵列层上，并分布于这些发光区与这些非发光区。这些导电层设置于混合层上，并分布于这些发光区，其中这些导电层分别与这些电致发光层重叠。

在本发明至少一实施例中，上述混合层与导电层皆包括第一金属材料，而混合层还包括一第二金属材料，其中第二金属材料的表面能小于第一金属材料的表面能。

在本发明至少一实施例中，上述混合层中的第二金属材料的体积百分比约在10％以下。

在本发明至少一实施例中，各个电致发光层包括一电子传输层，其中第二金属材料的最低未占分子轨域(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)介于电子传输层与第一金属材料两者的最低未占分子轨域之间。

在本发明至少一实施例中，上述阴极还包括缓冲层。缓冲层设置于像素阵列层上，并且分布于这些非发光区，其中混合层覆盖缓冲层。

在本发明至少一实施例中，上述阴极包括混合层与多个导电层。混合层与这些导电层皆设置于像素阵列层上，而混合层分布于这些非发光区，但不分布于这些发光区。这些导电层分别分布于这些发光区，其中这些导电层分别与这些电致发光层重叠，并电性连接混合层，而各个导电层的厚度大于混合层的厚度。

在本发明至少一实施例中，上述阴极包括缓冲层与导电层。缓冲层设置于像素阵列层上，并分布于这些非发光区，但不分布于这些发光区。导电层设置于像素阵列层上，并分布于这些发光区与这些非发光区，其中导电层覆盖缓冲层，且导电层在发光区的厚度大于导电层在非发光区的厚度。

在本发明至少一实施例中，上述缓冲层的表面能小于导电层的表面能。

在本发明至少一实施例中，上述缓冲层的最低未占分子轨域介于电子传输层与导电层两者的最低未占分子轨域之间。