[发明专利]半导体装置制造系统及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置制造系统，具备：

存储部，存储表示用于制造半导体器件的曝光装置的成像性与机械动作精度的关系的装置信息；

特定部，根据所述装置信息与所要求的成像性，特定出机械动作精度的限制；

判断部，判断曝光条件的校正参数是否满足所述限制；及

调整部，根据所述判断部的判断结果，调整所述校正参数。

2.根据权利要求1所述的半导体装置制造系统，其中

所述曝光装置是扫描曝光装置，

所述动作精度包含原版平台的扫描与衬底平台的扫描的同步精度，且

所述限制包含所述装置信息中的与所述要求的成像性对应的同步精度的上限。

3.根据权利要求1所述的半导体装置制造系统，其中

所述校正参数包含对准偏移校正的校正量曲线，且

当所述校正量曲线不满足所述限制时，所述调整部变更所述校正量曲线。

4.根据权利要求3所述的半导体装置制造系统，其中

所述校正参数包含包括多个曝光照射区域的衬底中的各曝光照射区域内的对准偏移校正的校正量曲线。

5.根据权利要求3所述的半导体装置制造系统，其中

所述校正参数包含校正量曲线，所述校正量曲线用来对包括分别具有多个芯片区域的多个曝光照射区域的衬底中的各曝光照射区域内的每一个芯片区域进行对准偏移校正。

6.根据权利要求1所述的半导体装置制造系统，其中

当调整后的校正参数满足动作精度的限制时，所述半导体装置制造系统将调整后的校正参数供给至所述曝光装置。

7.根据权利要求2所述的半导体装置制造系统，其中

当与调整后的校正参数对应的同步精度在同步精度的上限以下时，所述半导体装置制造系统将调整后的校正参数供给至所述曝光装置。

8.一种半导体装置制造系统，具备：

存储部，存储表示用于制造半导体器件的曝光装置的成像性与衬底的高度位置偏移量的关系的装置信息；

特定部，根据所述存储的装置信息与所要求的成像性，特定出衬底的高度位置偏移量的限制；

判断部，判断曝光条件的校正参数是否满足所述限制；及

调整部，根据所述判断部的判断结果，调整所述校正参数。

9.根据权利要求8所述的半导体装置制造系统，其中

所述限制包含所述装置信息中的与所述要求的成像性对应的高度位置偏移量的上限。

10.根据权利要求8所述的半导体装置制造系统，其中

所述校正参数包含聚焦校正的校正量，且

当所述校正量不满足所述限制时，所述调整部变更所述校正量。

11.根据权利要求8所述的半导体装置制造系统，其中

所述校正参数包含包括多个曝光照射区域的衬底中的各曝光照射区域内的聚焦校正的校正量。

12.根据权利要求8所述的半导体装置制造系统，其中

所述校正参数包含校正量，所述校正量用来对包括分别具有多个芯片区域的多个曝光照射区域的衬底中的各曝光照射区域内的每一个芯片区域进行聚焦校正。

13.根据权利要求8所述的半导体装置制造系统，其中

当调整后的校正参数满足动作精度的限制时，所述半导体装置制造系统将调整后的校正参数供给至所述曝光装置。

14.根据权利要求9所述的半导体装置制造系统，其中

当与调整后的校正参数对应的高度位置偏移量在高度位置偏移量的上限以下时，所述半导体装置制造系统将调整后的校正参数供给至所述曝光装置。