[发明专利]半导体装置制造系统及半导体装置的制造方法

说明书

实施方式提供一种能够适当地调整曝光条件的校正参数的半导体装置制造系统及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置制造系统具有存储部、特定部、判断部及调整部。存储部存储装置信息。装置信息是表示用于制造半导体器件的曝光装置的成像性与机械动作精度的关系的信息。特定部根据装置信息与所要求的成像性，特定出机械动作精度的限制。判断部判断曝光条件的校正参数是否满足限制。调整部根据判断部的判断结果，调整校正参数。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2020-044628号(申请日：2020年3月13日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本实施方式涉及一种半导体装置制造系统及半导体装置的制造方法。

背景技术

用于制造半导体器件的曝光装置根据曝光条件及其校正参数将衬底曝光，由此，将半导体器件的图案转印到衬底。此时，希望适当调整校正参数。

发明内容

本发明要解决的问题在于提供一种能够适当调整曝光条件的校正参数的半导体装置制造系统及半导体装置的制造方法。

实施方式的半导体装置制造系统具有存储部、特定部、判断部及调整部。存储部存储装置信息。装置信息是表示用于制造半导体器件的曝光装置的成像性与机械动作精度的关系的信息。特定部根据装置信息与所要求的成像性，特定出机械动作精度的限制。判断部判断曝光条件的校正参数是否满足限制。调整部根据判断部的判断结果，调整校正参数。

附图说明

图1是表示实施方式的半导体装置制造系统的构成的图。

图2是表示实施方式的主机控制器的功能构成的图。

图3是表示实施方式的曝光装置的构成的图。

图4是表示实施方式的半导体装置制造系统的动作的流程图。

图5是表示实施方式中的装置信息制作处理的流程图。

图6a及图6b是表示实施方式中的曝光照射区域与对准偏移校正量的关系的图。

图7a～图7d是表示实施方式中的曝光量裕度及聚焦深度的评价的图。

图8是表示实施方式中的成像性的评价的图。

图9a～图9c是表示实施方式中的曝光装置的同步精度的偏差的评价结果的图。

图10a～图10c是表示实施方式中的曝光装置的同步精度的偏差的评价结果的图。

图11是表示实施方式中的装置信息的构成的图。

图12是表示实施方式中的校正参数调整处理的流程图。

图13a～图13d是表示实施方式中的测量装置的测量对象的图。

图14a及图14b是表示实施方式中的校正参数调整处理的图。

图15是表示实施方式的变化例中的装置信息制作处理的流程图。

图16是表示实施方式的变化例中的装置信息的构成的图。

图17是表示实施方式的变化例中的校正参数调整处理的流程图。

图18是表示实施方式的变化例中的校正参数调整处理的图。

图19是表示实施方式及其变化例中的主机控制器的硬件构成的图。

具体实施方式

以下，参照附图，对实施方式的半导体装置制造系统详细地进行说明。此外，本发明不受本实施方式限定。

(实施方式)