[发明专利]充电盒切换电路、充电盒和无线耳机系统

权利要求书

1.一种充电盒切换电路，其特征在于，包括：

充电盒通信端，用于电连接充电盒微控制单元的引脚；

充电盒连接端，用于电连接充电盒外部引脚；

充电盒通信电路，所述充电盒通信电路串联于所述充电盒通信端和所述充电盒连接端之间，所述充电盒通信电路用于响应于所述充电盒通信端或者所述充电盒连接端上的通信信号电压使充电盒通信端和充电盒连接端之间导通，充电盒通信电路还用于响应于充电盒连接端上的充电电压，使充电盒连接端和充电盒通信端之间截止，所述充电电压大于所述通信信号电压；

充电控制信号端，用于电连接所述充电盒微控制单元的引脚；

充电盒充电电路，所述充电盒充电电路电连接于所述充电盒连接端，所述充电盒充电电路用于基于充电电压向所述充电盒连接端进行充电；

充电切换控制电路，所述充电切换控制电路电连接于所述充电控制信号端和所述充电盒充电电路，所述充电切换控制电路用于响应于所述充电控制信号端的充电信号控制所述充电盒充电电路向所述充电盒连接端进行充电，所述充电切换控制电路还用于响应于所述充电控制信号端的充电停止信号控制所述充电盒充电电路停止向所述充电盒连接端进行充电。

2.根据权利要求1所述的充电盒切换电路，其特征在于，还包括：

放电电路，所述放电电路电连接于所述充电盒连接端和所述充电切换控制电路，所述放电电路用于当所述充电切换控制电路控制所述充电盒充电电路停止向所述充电盒连接端进行充电时，控制对所述充电盒连接端进行放电，放电至所述通信信号电压。

3.根据权利要求1所述的充电盒切换电路，其特征在于，

所述充电盒通信电路包括：

第一电压端，所述第一电压端用于提供第一电压；

第一晶体管，所述第一晶体管为N型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，所述第一晶体管的源极电连接于所述充电盒通信端，所述第一晶体管的漏极电连接于充电盒连接端；

第一电阻，所述第一晶体管的栅极通过所述第一电阻电连接于所述第一电压端；

第二电阻，所述第二电阻串联于所述第一晶体管的栅极和源极之间。

4.根据权利要求3所述的充电盒切换电路，其特征在于，还包括：

第二电压端，所述第二电压端用于提供充电电压，所述充电电压高于所述第一电压；

所述充电盒充电电路包括第二晶体管，所述第二晶体管为P型MOSFET，所述第二晶体管的源极电连接于所述第二电压端，所述第二晶体管的漏极电连接于所述充电盒连接端，所述第二晶体管的栅极电连接于控制节点；

所述充电切换控制电路包括：

第三晶体管，所述第三晶体管为N型MOSFET，所述第三晶体管的源极接地，所述第三晶体管的漏极电连接于所述控制节点；

第三电阻，所述第三电阻串联于所述充电控制信号端和所述第三晶体管的栅极之间；

第四电阻，所述第四电阻串联于所述第三晶体管的源极和栅极之间；

第五电阻，所述第五电阻串联于所述第二电压端和所述控制节点之间；

电容，所述电容串联于所述第二电压端和所述控制节点之间。

5.根据权利要求4所述的充电盒切换电路，其特征在于，还包括放电电路，所述放电电路包括：

第三电压端，所述第三电压端用于提供第二电压，所述第二电压为所述通信电压中的高电压，所述第二电压低于所述第一电压；

第四晶体管，所述第四晶体管为N型MOSFET，所述第四晶体管的漏极电连接于所述充电盒连接端，所述第四晶体管的栅极电连接于所述控制节点；

第五晶体管，所述第五晶体管为P型MOSFET，所述第五晶体管的源极电连接于所述第四晶体管的源极，所述第五晶体管的漏极接地，所述第五晶体管的栅极电连接于所述第三电压端。

6.根据权利要求5所述的充电盒切换电路，其特征在于，

所述放电电路还包括：

第六电阻，所述第六电阻串联于所述第三电压端和所述第五晶体管的栅极之间；

第七电阻，所述第七电阻串联于所述第五晶体管的栅极和漏极之间。