[发明专利]一种等离子干法去胶的热盘装置及其使用方法

权利要求书

1.一种等离子干法去胶的热盘装置，其特征在于，包括工艺腔体（1），所述工艺腔体（1）的上表面开设有加热凹槽（101）；所述加热凹槽（101）中固定设置有加热盘体（2），所述加热盘体（2）的下表面中心处固定连接有隔热连接柱（9），所述隔热连接柱（9）的下端与加热凹槽（101）的底壁固定连接，所述加热盘体（2）的前后侧面开设有T形插入槽（201），位于每个所述T形插入槽（201）内侧的加热盘体（2）中均开设有电阻加热棒贯穿槽（202），所述电阻加热棒贯穿槽（202）与对应的T形插入槽（201）的内壁相连通，每个所述电阻加热棒贯穿槽（202）中插设有电阻加热棒（3），所述电阻加热棒（3）的两端分别连接有正极端（301）和负极端（302），所述工艺腔体（1）的下表面设置有电源正极端（4）和电源负极端（5），所述电源电源正极端（4）伸入工艺腔体（1）中与两个正极端（301）相连接，所述电源负极端（5）伸入工艺腔体（1）中与两个负极端（302）相连接；

位于所述T形插入槽（201）上下方的加热盘体（2）侧面上均匀开设有若干第一螺纹孔（203），所述T形插入槽（201）中设置有与T形插入槽（201）相配合的T形电阻棒固定块（6），且所述T形电阻棒固定块（6）由导热材料制成，所述T形电阻棒固定块（6）的内侧面开设有与电阻加热棒（3）侧面相贴合的弧形凹槽（601），所述T形电阻棒固定块（6）的外端上下两侧均开设有与每个第一螺纹孔（203）相对应的第一通孔，所述第一通孔中设置有与第一螺纹孔相螺接的固定螺栓；

所述工艺腔体（1）的后侧面开设有晶圆取出口（102），且晶圆取出口（102）的水平高度与加热盘体（2）的上表面相平行，所述工艺腔体（1）的上表面左右两端均匀开设若干第二螺纹孔（104），所述工艺腔体（1）的上端设置有密封罩（10），所述密封罩（8）的前后两端开设有与每个第二螺纹孔（104）对应的第二通孔，所述第二通孔中设置有与第二螺纹孔（104）相螺接的紧固螺丝（11），位于所述晶圆取出口（102）上方的工艺腔体（1）开设有与晶圆取出口（102）相连通的条形插入槽（12），所述密封罩（8）的后端开设有与条形插入槽（12）相对应的条形通孔（13），所条形通孔（13）中插设有能够将晶圆取出口（102）密封的挡板（14），所述挡板（14）的上端设置有水平防脱板（15），所述加热盘体（2）的形状为长方形，所述加热盘体（2）的上表面左右两端设置有第一工位（204）和第二工位（205）。

2.根据权利要求1所述的一种等离子干法去胶的热盘装置，其特征在于，所述第一工位（204）和第二工位（205）的上表面均开设有沟槽组（206）。

3.根据权利要求2所述的一种等离子干法去胶的热盘装置，其特征在于，所述沟槽组（206）由若干个同心环沟槽、若干纵向沟槽和一个横向沟槽组成。

4.根据权利要求1所述的一种等离子干法去胶的热盘装置，其特征在于，所述工艺腔体（1）的下表面设置有贯穿工艺腔体（1）下表面的测温棒（7），所述测温棒（7）的上端与加热盘体（2）相连接。

5.根据权利要求4所述的一种等离子干法去胶的热盘装置，其特征在于，所述工艺腔体（1）的下表面设置有贯穿工艺腔体（1）下表面的过温保护器（8）。

6.根据权利要求1所述的一种等离子干法去胶的热盘装置，其特征在于，所述工艺腔体（1）的前侧面设置有名牌版（103）。

7.根据权利要求1所述的一种等离子干法去胶的热盘装置，其特征在于，所述加热盘体（2）由表面经过阳极氧化处理的铝制成，所述隔热连接柱（9）有陶瓷材料制成。

8.根据权利要求1所述的一种等离子干法去胶的热盘装置，其特征在于，所述T形电阻棒固定块（6）由铝或铜材料制成。

9.一种权利要求1~8任一所述等离子干法去胶的热盘装置的使用方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：使用机械手将待去胶的晶圆放在加热盘体（2）上表面的工位上；

S2：合上工艺腔体（1）上方的密封罩，将电源正极端（4）和电源负极端（5）相接通，使得电阻加热棒（3）升温加热，其电阻加热棒（3）产生的热量向加热盘体（2）表面扩散，同时电阻加热棒（3）产生的热量向T形电阻棒固定块（6）中传递，再通过T形电阻棒固定块（6）将热量更均匀地传递给加热盘体（2）；

S3：加热盘体（2）上表面升温后对晶圆进行加热，从而实现干法去胶；

S4：待晶圆表面的光刻胶去除干净后，提上挡板（14）后将机械手从晶圆取出口（102）伸入加热凹槽（101）中将晶圆取出。