[发明专利]一种等离子干法去胶的热盘装置及其使用方法有效
申请号: | 202011446213.9 | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN112563169B | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 廖海涛 | 申请(专利权)人: | 无锡邑文电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 重庆市诺兴专利代理事务所(普通合伙) 50239 | 代理人: | 熊军 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子 干法去胶 装置 及其 使用方法 | ||
本发明涉及等离子去胶机技术领域,具体公开了一种等离子干法去胶的热盘装置;包括工艺腔体,工艺腔体中固定设置有加热盘体,加热盘体的前后侧面开设有T形插入槽位于每个T形插入槽内侧的加热盘体中均开设有电阻加热棒贯穿槽;位于T形插入槽上下方的加热盘体侧面上均匀开设有若干第一螺纹孔,T形插入槽中设置有与T形插入槽相配合的T形电阻棒固定块,T形电阻棒固定块的外端上下两侧均开设有与每个第一螺纹孔相对应的第一通孔,第一通孔中设置有与第一螺纹孔相螺接的固定螺栓;本发明公开的加热盘中的加热器固定采用可拆卸设计,损坏后可单独更换,大大降低了维护和生产成本,同时其双工位的设计可同时满足两片产品片的工艺温度需求。
技术领域
本发明涉及等离子去胶机技术领域,具体公开了一种等离子干法去胶的热盘装置及其使用方法。
背景技术
半导体器件的制造过程包括薄膜沉积、曝光、刻蚀、光刻胶去除以及湿法清洗,其中,光刻胶去除是在等离子去胶机上进行。目前离子去胶机的加热盘分为为平坦式与沟槽式。其中平坦式加热盘由于加热盘与晶圆的背面直接接触,导致晶圆受热过快,使刻蚀光刻胶的均匀度较差,而沟槽式加热盘对晶圆的加热的表面加热更加均匀,其加热效果更好。
专利号为CN211017022U的实用新型公开了一种等离子去胶机的加热盘,包括盘体,盘体内侧开设有加热槽,盘体内位于加热槽下方设有加热层,加热槽内固定安装有数量为四组的支撑杆,支撑杆上端固定安装有支撑导热块,加热槽内活动放置有晶圆,晶圆与支撑导热块活动连接,盘体上面位于加热槽上方固定安装有保温罩;该实用新型公开的等离子去胶机的加热盘再干法去胶过程中晶圆会保持受热平衡,其去胶效果优异,但是存在一些不足;其一,该实用新型公开的等离子去胶机的加热盘中的加热器与盘体之间为焊接式固定,加热器损坏后只能和加热盘整体更换,维护成本高,给厂家带来了更大的生产成本;其二,现有等离子去胶机的加热盘一次只能对一个晶圆进行干法去胶,其去胶效果效率低下;其三,现有的加热盘其内部时通过电阻加热棒进行加热,而电阻加热棒的热量比较集中,无法均匀的将产生的热量快速的传递给加热盘。因此,针对现有等离子去胶机中的加热盘上述三种不足,设计一种能够在加热器损坏后无需将加热盘整体更换、一次性能够对多个晶圆进行干法去胶、且使得整个加热盘上表面温度均匀的的等离子干法去胶的热盘装置是目前有待解决的技术难题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有等离子去胶机中的加热盘再背景技术中提出的三种不足,设计一种能够在加热器损坏后无需将加热盘整体更换、一次性能够对多个晶圆进行干法去胶、且使得整个加热盘上表面温度均匀的的等离子干法去胶的热盘装置,用以解决现有离子去胶机中加热盘在实际使用过程中所带来的问题或不足。
本发明是通过以下技术方案实现的:
一种等离子干法去胶的热盘装置,包括工艺腔体,所述工艺腔体的上表面开设有加热凹槽,所述加热凹槽中固定设置有加热盘体,所述加热盘体的下表面中心处固定连接有隔热连接柱,所述隔热连接柱的下端与加热凹槽的底壁固定连接,所述加热盘体的前后侧面开设有T形插入槽,位于每个所述T形插入槽内侧的加热盘体中均开设有电阻加热棒贯穿槽,所述电阻加热棒贯穿槽与对应的T形插入槽的内壁相连通,每个所述电阻加热棒贯穿槽中插设有电阻加热棒,所述电阻加热棒的两端分别连接有正极端和负极端,所述工艺腔体的下表面设置有电源正极端和电源负极端,所述电源电源正极端伸入工艺腔体中与两个正极端相连接,所述电源负极端伸入工艺腔体中与两个负极端相连接;
位于所述T形插入槽上下方的加热盘体侧面上均匀开设有若干第一螺纹孔,所述T形插入槽中设置有与T形插入槽相配合的T形电阻棒固定块,且所述T形电阻棒固定块由导热材料制成,所述T形电阻棒固定块的内侧面开设有与电阻加热棒侧面相贴合的弧形凹槽,所述T形电阻棒固定块的外端上下两侧均开设有与每个第一螺纹孔相对应的第一通孔,所述第一通孔中设置有与第一螺纹孔相螺接的固定螺栓;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造