[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

第一器件，包括：

第一栅极，位于所述衬底上；

第一间隔单元，位于所述衬底上且位于所述第一栅极横向两侧；

第一源漏区，包括位于所述衬底中的第一重掺杂区以及位于所述第一重掺杂区和所述第一栅极之间的第一轻掺杂区；其中，所述第一间隔单元在所述衬底上的正投影位于所述第一轻掺杂区内；

第二器件，与所述第一器件间隔设置，且包括：

第二栅极，位于所述衬底上；

第二间隔单元，位于所述衬底上且位于所述第二栅极横向两侧；

第二源漏区，包括位于所述衬底中的第二重掺杂区以及位于所述第二重掺杂区和所述第二栅极之间的第二轻掺杂区；其中，所述第二间隔单元在所述衬底上的正投影位于所述第二轻掺杂区内；

其中，位于所述第一栅极横向两侧中任意一侧的所述第一间隔单元在所述衬底上的正投影的横向宽度，大于位于所述第二栅极横向两侧中任意一侧的所述第二间隔单元在所述衬底上的正投影的横向宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一间隔单元为单层结构或依次设置于所述第一栅极横向两侧的多层结构；

所述第二间隔单元为单层结构或依次设置于所述第二栅极横向两侧的多层结构。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一间隔单元包括依次位于所述第一栅极横向两侧的第一间隔层和第二间隔层；

所述第二间隔单元包括位于所述第二栅极横向两侧的所述第一间隔层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一间隔层的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的任意一种，所述第二间隔层的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中与所述第一间隔层的材料不同的任意一种。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括设置在所述第一栅极与所述第一间隔单元之间的第一侧墙以及设置在所述第二栅极与所述第二间隔单元之间的第二侧墙；

所述第一轻掺杂区位于所述第一侧墙与所述第一重掺杂区之间；所述第二轻掺杂区位于所述第二侧墙与所述第二重掺杂区之间。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述衬底中且位于所述第一器件和所述第二器件之间的隔离结构。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一器件为高压器件，所述第二器件为低压器件。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括具有PCM存储单元的存储器件。

9.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上形成间隔设置的第一栅极和第二栅极；

在所述衬底上形成位于所述第一栅极横向两侧的第一间隔单元和位于所述第二栅极横向两侧的第二间隔单元，且在所述第一栅极横向两侧的所述衬底中形成第一轻掺杂区，在所述第二栅极横向两侧的所述衬底中形成第二轻掺杂区；其中，位于所述第一栅极横向两侧中任意一侧的所述第一间隔单元在所述衬底上的正投影的横向宽度，大于位于所述第二栅极横向两侧中任意一侧的所述第二间隔单元在所述衬底上的正投影的横向宽度，所述第一间隔单元在所述衬底上的正投影位于所述第一轻掺杂区内，且所述第二间隔单元在所述衬底上的正投影位于所述第二轻掺杂区内。