[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

说明书

本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，半导体器件包括衬底和设置在衬底上的第一器件和第二器件；第一器件包括第一栅极、第一源漏区和位于第一栅极横向两侧的第一间隔单元；第一源漏区包括第一轻掺杂区，且第一间隔单元在衬底上的正投影位于第一轻掺杂区内；第二器件包括第二栅极、第二源漏区和位于第二栅极横向两侧的第二间隔单元；第二源漏区包括第二轻掺杂区，且第二间隔单元在衬底上的正投影位于第二轻掺杂区内；第一间隔单元在衬底上的正投影的横向宽度大于第二间隔单元在衬底上的正投影的横向宽度。本申请可以同时满足高压器件的高稳定性和低压器件的高电流驱动性能，从而提高半导体器件的运行性能。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法。

背景技术

随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制作技术变得更加困难，而且成本更加高昂。因此，平面存储单元的存储密度接近上限。3D存储架构能够解决平面存储单元中的密度限制。3D存储架构包括存储阵列以及用于控制往返于存储阵列的信号的外围器件。例如，相变存储器(PCM，Phase Change Memory)可以基于以电热方式对相变材料所做的加热和淬火来利用相变材料中的非晶相和晶相的电阻率之间的差异，PCM阵列单元可以垂直堆叠以形成3D PCM。

在外围器件中，HVMOS(高压金属氧化物半导体，High Voltage Metal OxideSemiconductor)器件和LVMOS(低压金属氧化物半导体，Low Voltage Metal OxideSemiconductor)器件用于形成存储器(例如3D PCM)的驱动电路，但是，现有的制作工艺在保证HVMOS器件高稳定性时，无法满足LVMOS器件的高电流驱动性能，不利于提高存储器的高性能运行。

发明内容

本申请提供一种半导体器件及其制作方法，可以同时满足高压器件的高稳定性和低压器件的高电流驱动性能，有利于提高半导体器件的运行性能。

本申请提供一种半导体器件，包括：

衬底；

第一器件，包括：

第一栅极，位于所述衬底上；

第一间隔单元，位于所述衬底上且位于所述第一栅极横向两侧；

第一源漏区，包括位于所述衬底中的第一重掺杂区以及位于所述第一重掺杂区和所述第一栅极之间的第一轻掺杂区；其中，所述第一间隔单元在所述衬底上的正投影位于所述第一轻掺杂区内；

第二器件，与所述第一器件间隔设置，且包括：

第二栅极，位于所述衬底上；

第二间隔单元，位于所述衬底上且位于所述第二栅极横向两侧；

第二源漏区，包括位于所述衬底中的第二重掺杂区以及位于所述第二重掺杂区和所述第二栅极之间的第二轻掺杂区；其中，所述第二间隔单元在所述衬底上的正投影位于所述第二轻掺杂区内；

其中，位于所述第一栅极横向两侧中任意一侧的所述第一间隔单元在所述衬底上的正投影的横向宽度，大于位于所述第二栅极横向两侧中任意一侧的所述第二间隔单元在所述衬底上的正投影的横向宽度。

可选的，所述第一间隔单元为单层结构或依次设置于所述第一栅极横向两侧的多层结构；

所述第二间隔单元为单层结构或依次设置于所述第二栅极横向两侧的多层结构。

可选的，所述第一间隔单元包括依次位于所述第一栅极横向两侧的第一间隔层和第二间隔层；

所述第二间隔单元包括位于所述第二栅极横向两侧的所述第一间隔层。