[发明专利]预聚物、包含预聚物的树脂组合物及其制品在审

专利信息
申请号: 202011446859.7 申请日: 2020-12-09
公开(公告)号: CN114573760A 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 谢镇宇 申请(专利权)人: 台光电子材料股份有限公司
主分类号: C08F277/00 分类号: C08F277/00;C08F212/34;C08L51/00;C08K5/14;C08K7/18;C08L25/10;C08L79/08;C08L71/12;C08K3/38;B32B15/20;B32B17/02;B32B17/06;B32B27/04;B32B27/28
代理公司: 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人: 钱程;徐琳
地址: 中国台湾桃园市观*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 预聚物 包含 树脂 组合 及其 制品
【说明书】:

发明公开一种由式(I)所示结构的化合物与含乙烯基化合物进行预聚反应而得的预聚物及包含预聚物的树脂组合物。所述含乙烯基化合物包括双(乙烯基苯基)乙烷、二乙烯基苯、二乙烯基苯改质物或其组合。所述式(I)所示结构的化合物与所述含乙烯基化合物以8:2至6:4的重量份比进行预聚反应。所述树脂组合物包括前述预聚物及添加剂,且由所述树脂组合物制成的制品可包括树脂膜、半固化片、积层板或印刷电路板。

技术领域

本发明涉及高分子材料技术领域,特别是关于一种预聚物、包含所述预聚物的树脂组合物及由此树脂组合物制成的制品。

背景技术

随着电子科技的高速发展,移动通讯、服务器、大型计算机等电子产品的信息处理也不断向着“信号传输高频化和高速数字化”的方向发展,低介电材料因此成为现今高传输速率基板的主要开发方向,以满足高速信息处理的需求。

现有技术中普遍采用聚四氟乙烯为原料制作极低介电损耗的基板(介电损耗Df小于或等于0.0020,于10GHz频率下量测)。然而,聚四氟乙烯需于超过300℃的高温下压合,加工条件严苛,且存在聚四氟乙烯基板难以增层,以及聚四氟乙烯与铜箔的粘合力低,需要额外层压树脂膜以增加对铜箔拉力等问题,皆为使用聚四氟乙烯作为极低介电损耗基板的缺点。

为解决上述问题,现有技术中也有利用聚烯烃来制作极低介电损耗的基板。然而,此类基板却存在热膨胀系数过高以及耐热性不佳等缺点。

有鉴于此,本领域有必要开发出可以解决至少一种上述技术问题的铜箔基板材料。

发明内容

有鉴于现有技术中所遭遇的问题,特别是现有材料无法满足特性要求,本发明的主要目的在于提供一种预聚物、包含所述预聚物的树脂组合物及由此树脂组合物制成的制品,藉此达到低介电损耗(Df)、高玻璃转化温度(Tg)及低热膨胀系数等至少一种良好特性。

详言之,本申请的发明人为实现上述目的,进行了反复深入的研究,并意外地发现,通过使用预聚方法将双环戊二烯及降冰片烯的共聚物与含乙烯基化合物进行预聚,可以大幅提高双环戊二烯及降冰片烯的共聚物的玻璃转化温度及T288耐热性,并同时降低热膨胀系数进而提高基板的尺寸稳定性,同时还能提升对铜箔拉力。

为了达到上述目的,本发明公开一种由式(I)所示结构的化合物与含乙烯基化合物进行预聚反应而得的预聚物,

其中:

m及n各自独立为1至10的整数(例如1、2、3、4、5、6、7、8、9或10);

所述含乙烯基化合物包括双(乙烯基苯基)乙烷、二乙烯基苯、二乙烯基苯改质物或其组合;以及

所述式(I)所示结构的化合物与所述含乙烯基化合物是以8:2至6:4的重量份比进行预聚反应。

举例而言,在一个实施例中,所述式(I)所示结构的化合物为双环戊二烯及降冰片烯的共聚物。

举例而言,在一个实施例中,所述二乙烯基苯改质物包括二乙烯基苯及以下成分的共聚物、预聚物或衍生物:甲基丙烯酸甲酯树脂、三烯丙基异氰脲酸酯树脂、三烯丙基氰脲酸酯树脂、乙基苯乙烯或其组合。

举例而言,在一个实施例中,所述预聚反应在反应起始剂的存在下进行,且相较于合计100重量份的所述式(I)所示结构的化合物与所述含乙烯基化合物,所述反应起始剂的用量为0.001至1重量份。

举例而言,在一个实施例中,所述反应起始剂包括格拉布催化剂、金属氯化物或其组合。

举例而言,在一个实施例中,所述格拉布催化剂包括(1,3-双-(2,4,6-三甲基苯基)-2-亚咪唑啶基)二氯(邻-异丙氧基苯基亚甲基)钌、二氯(邻-异丙氧基苯基亚甲基)(三环己基膦)钌(II)或其组合。

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