[发明专利]一种氯霉素光电化学适配体传感器及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种氯霉素光电化学适配体传感器的制备方法，其特征在于该方法按以下步骤进行：

一、多级分层TiO₂纳米花的制备：按二乙烯三胺、异丙醇和双乙酰丙酮基二异丙氧基钛酸酯的体积比为(2.0×10^-3～4.0×10^-3)：(15～35)：(1～3)量取二乙烯三胺、异丙醇和双乙酰丙酮基二异丙氧基钛酸酯，并混合均匀，得到混合液；将混合液转移至水热反应釜中，在温度为200～220℃的条件下水热反应20～24h；将水热反应后的沉淀物分别用无水乙醇和去离子水洗涤，离心收集后，干燥；再将干燥后的产物倒入坩埚，置于马弗炉中，升温至450～500℃退火3～5h，得到多级分层TiO₂纳米花；

二、MoS₂/TiO₂异质结复合纳米材料的制备：按摩尔比为(3～5)：(2～4)：(13～15)称取多级分层TiO₂纳米花、钼酸钠和硫脲；先将多级分层TiO₂纳米花分散在超纯水中，然后依次加入钼酸钠和硫脲，搅拌均匀后，转移至水热反应釜中，在温度为180℃～200℃的条件下水热反应20～24h，将水热反应后的沉淀物分别用去离子水和无水乙醇洗涤，离心收集后，干燥，得到MoS₂/TiO₂异质结复合纳米材料；

三、Au NPs/MoS₂/TiO₂三元复合物的制备：首先称取0.05～0.1g MoS₂/TiO₂异质结复合纳米材料超声分散到20mL超纯水中，得到分散液；然后量取1～2mL 10mM三水氯金酸水溶液和1～2mL 10mM柠檬酸钠水溶液，在搅拌条件下依次加入上述分散液中，得到悬浊液；最后将此悬浊液转移至300W的氙灯下，光照60min，通过光催化作用将吸附在MoS₂/TiO₂表面的Au³⁺还原为Au NPs；待静置沉淀后，将反应沉淀物分别用去离子水和无水乙醇反复洗涤，离心收集后，干燥，得到Au NPs/MoS₂/TiO₂三元复合物；

四、Au NPs/MoS₂/TiO₂/ITO电极的制备：将1～3mg步骤三中制备的Au NPs/MoS₂/TiO₂三元复合物，均匀分散在1～5ml质量百分浓度为0.2％的壳聚糖醋酸溶液中，得到悬浮液；然后量取20～30μL悬浮液均匀涂于ITO电极表面，室温下自然干燥1～3h，即得到Au NPs/MoS₂/TiO₂/ITO电极；

五、氯霉素光电化学适配体传感器的制备：将巯基修饰的氯霉素适配体溶液逐滴滴加在Au NPs/MoS₂/TiO₂/ITO表面，并在室温下孵育1～3h，通过Au-S键将适配体锚定在电极材料表面；随后用Tris-HCl缓冲溶液冲洗电极，以去掉未能结合在电极表面上的氯霉素适配体，得到Aptamer/Au NPs/MoS₂/TiO₂/ITO；再将Aptamer/Au NPs/MoS₂/TiO₂/ITO电极置于质量百分浓度为1％～3％的牛血清白蛋白溶液中保持1～3h，以封闭电极表面剩余的活性位点，防止结合氯霉素时发生附着位置的错乱；待封闭结束后，用pH 7.0的PBS缓冲溶液冲洗电极表面，得到BSA/aptamer/Au NPs/MoS₂/TiO₂/ITO电极，即氯霉素光电化学适配体传感器；该传感器是将巯基修饰的氯霉素适配体负载于Au NPs/MoS₂/TiO₂三元复合物修饰的ITO电极表面而成。

2.根据权利要求1所述的一种氯霉素光电化学适配体传感器的制备方法，其特征在于步骤一中所述的干燥是在50～60℃条件下干燥10～12h。

3.根据权利要求1或2所述的一种氯霉素光电化学适配体传感器的制备方法，其特征在于步骤一中所述的马弗炉的升温速度为3～5℃/min。