[发明专利]集成式组合件以及形成集成式组合件的方法在审

专利信息
申请号: 202011447420.6 申请日: 2020-12-09
公开(公告)号: CN112951837A 公开(公告)日: 2021-06-11
发明(设计)人: J·D·霍普金斯;P·纳拉亚南;J·D·格林利 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/11551 分类号: H01L27/11551;H01L27/11524;H01L27/11578;H01L27/1157
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 集成 组合 以及 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种形成集成式组合件的方法,其包括:

在导电结构之上形成交替的第一和第二材料的堆叠;所述导电结构包括含金属材料之上的含半导体材料;

形成开口以延伸穿过所述堆叠且穿过所述含半导体材料,以使含所述金属材料暴露;

用碳和/或用一或多种金属来掺杂所述含半导体材料;

在所述含半导体材料的所述掺杂之后,移除所述堆叠的所述第二材料以形成空隙;

在所述空隙内形成导电材料;以及

在所述开口内形成绝缘材料。

2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括形成绝缘面板以延伸穿过所述堆叠且接触所述导电材料;所述绝缘面板位于第一NAND存储器装置子块与第二NAND存储器装置子块之间。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述含半导体材料的所述掺杂是在所述导电结构之上的交替的第一和第二材料的所述堆叠的所述形成之前进行。

4.根据权利要求1所述的方法,其中所述含半导体材料的所述掺杂是在所述开口的所述形成之后进行。

5.根据权利要求1所述的方法,其中所述含半导体材料的所述掺杂包括用所述碳来掺杂所述含半导体材料。

6.根据权利要求5所述的方法,其中用所述碳进行的所述掺杂在所述含半导体材料中提供所述碳,达至少约1010个原子/立方厘米的浓度。

7.根据权利要求5所述的方法,其中用所述碳进行的所述掺杂在所述含半导体材料中提供所述碳,达至少约1018个原子/立方厘米的浓度。

8.根据权利要求5所述的方法,其中用所述碳进行的所述掺杂在所述含半导体材料中提供所述碳,达至少约1022个原子/立方厘米的浓度。

9.根据权利要求5所述的方法,其中所述掺杂包括将所述碳离子植入到所述含半导体材料中。

10.根据权利要求9所述的方法,其中所述离子植入利用等离子体。

11.根据权利要求1所述的方法,其中所述含半导体材料的所述掺杂包括用所述一或多个金属来掺杂所述含半导体材料。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述一或多种金属是从由以下组成的群组中选出的:钴、钼、镍、钌、钽、钛和钨。

13.根据权利要求1所述的方法,其中所述含半导体材料的所述掺杂包括用所述碳且用所述一或多种金属来掺杂所述含半导体材料。

14.根据权利要求1所述的方法,其中所述含金属材料包括钛、钨、钴、镍和钼中的一或多种。

15.根据权利要求1所述的方法,其中所述含金属材料包括金属硅化物、金属锗化物、金属碳化物、金属氮化物、金属氧化物和金属硼化合物中的一或多者。

16.根据权利要求1所述的方法,其中所述含半导体材料包括硅和锗中的一者或两者。

17.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二材料包括氮化硅,且其中所述第二材料的所述去除使用磷酸。

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