[发明专利]蚀刻方法、基板处理装置及基板处理系统

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其包括：在基板上划分开口的侧壁表面上形成含有磷的保护层的工序；及

在形成保护层的所述工序之后，为了增加所述开口的深度而对所述基板的膜进行蚀刻的工序。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，

形成保护层的所述工序包括：

使用第1气体在所述侧壁表面上形成前体层的工序；及

使用第2气体由所述前体层形成所述保护层的工序，

所述第1气体或所述第2气体含有磷。

3.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其依次执行分别包括形成前体层的所述工序和由所述前体层形成所述保护层的所述工序的多个成膜循环。

4.根据权利要求3所述的蚀刻方法，其中，用于在所述多个成膜循环中的至少一个成膜循环中形成所述前体层的条件与用于在所述多个成膜循环中的至少一个另一成膜循环中形成所述前体层的条件不同。

5.根据权利要求3或4所述的蚀刻方法，其中，在所述多个成膜循环中的至少一个成膜循环中由所述前体层形成所述保护层的条件与在所述多个成膜循环中的至少一个另一成膜循环中由所述前体层形成所述保护层的条件不同。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述第1气体包含含磷物质，

所述第2气体含有H₂O、具有NH键的无机化合物、含碳物质、含硅物质或含磷物质。

7.根据权利要求2至5中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述第1气体包含含碳物质或含硅物质，

所述第2气体包含含磷物质。

8.根据权利要求2至5中任一项所述的蚀刻方法，其中，所述第1气体包含含磷物质，

所述第2气体含有H₂、O₂或N₂中的至少一个，

所述保护层通过向所述前体层供给来自由所述第2气体生成的等离子体的化学物种而形成。

9.根据权利要求6或8所述的蚀刻方法，其中，所述第1气体中所包含的所述含磷物质为磷酰化合物、膦系物质、正膦化合物、磷烯化合物、磷炔化合物或磷腈化合物。

10.根据权利要求6或7所述的蚀刻方法，其中，所述第2气体中所包含的所述含磷物质为磷酰化合物、膦系物质、正膦化合物、磷烯化合物、磷炔化合物或磷腈化合物。

11.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述保护层使用包含含磷物质的成膜气体并通过化学气相沉积法而形成。

12.根据权利要求11所述的蚀刻方法，其中，所述含磷物质为磷酰化合物、膦系物质、正膦化合物、磷烯化合物、磷炔化合物或磷腈化合物。

13.根据权利要求11或12所述的蚀刻方法，其中，所述成膜气体还包含含碳物质、含硅物质、H₂、N₂、H₂O、N₂、具有NH键的无机化合物或惰性气体。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的蚀刻方法，其依次执行分别包括形成保护层的所述工序和对膜进行蚀刻的所述工序的多个循环。

15.根据权利要求14所述的蚀刻方法，其中，用于在所述多个循环中的至少一个循环中形成所述保护层的条件与用于在所述多个循环中的至少一个另一循环中形成所述保护层的条件不同。

16.根据权利要求14或15所述的蚀刻方法，其中，用于在所述多个循环中的至少一个循环中对所述膜进行蚀刻的条件与用于在所述多个循环中的至少一个另一循环中对所述膜进行蚀刻的条件不同。