[发明专利]蚀刻方法、基板处理装置及基板处理系统

说明书

所公开的蚀刻方法包括在基板上划分开口的侧壁表面上形成保护层的工序。保护层含有磷。蚀刻方法还包括在形成保护层的工序之后，为了增加开口的深度而对基板的膜进行蚀刻的工序。

技术领域

本公开的例示性实施方式涉及一种蚀刻方法、基板处理装置及基板处理系统。

背景技术

在电子设备的制造中，对基板的膜进行了等离子体蚀刻。等离子体蚀刻例如适用于含硅膜。在含硅膜的等离子体蚀刻中使用了含有氟碳气体的处理气体。关于这种等离子体蚀刻，记载在美国专利申请公开第2018/0286707号中。

发明内容

本公开提供一种在基板的膜的蚀刻中抑制侧壁表面的蚀刻的技术。

在一个例示性实施方式中，提供蚀刻方法。蚀刻方法包括在基板上划分开口的侧壁表面上形成保护层的工序。保护层含有磷。蚀刻方法还包括在形成保护层的工序之后，为了增加开口的深度而对基板的膜进行蚀刻的工序。

根据一个例示性实施方式，能够在基板的膜的蚀刻中抑制侧壁表面的蚀刻。

附图说明

图1为一个例示性实施方式所涉及的蚀刻方法的流程图。

图2为一例的基板的局部放大剖视图。

图3为概略性地表示一个例示性实施方式所涉及的基板处理装置的图。

图4为一个例示性实施方式所涉及的基板处理装置中的静电吸盘的放大剖视图。

图5(a)为用于说明图1所示的蚀刻方法的工序Sta的例的图，图5(b)为执行工序Sta之后的状态下的一例的基板的局部放大剖视图。

图6为一个例示性实施方式所涉及的蚀刻方法中可使用的成膜方法的流程图。

图7(a)为形成前体层之后的状态下的一例的基板的局部放大剖视图，图7(b)为形成保护层之后的状态下的一例的基板的局部放大剖视图。

图8(a)为用于说明图1所示的蚀刻方法的工序ST2的例的图，图8(b)为执行工序ST2之后的状态下的一例的基板的局部放大剖视图。

图9(a)为形成前体层之后的状态下的一例的基板的局部放大剖视图，图9(b)为形成保护层之后的状态下的一例的基板的局部放大剖视图。

图10为表示一个例示性实施方式所涉及的基板处理系统的图。

图11为另一例示性实施方式所涉及的蚀刻方法的流程图。

具体实施方式

以下，对各种例示性实施方式进行说明。

在一个例示性实施方式中，提供蚀刻方法。蚀刻方法包括在基板上划分开口的侧壁表面上形成保护层的工序。保护层含有磷。蚀刻方法还包括在形成保护层的工序之后，为了增加开口的深度而对基板的膜进行蚀刻的工序。

上述实施方式中，在基板的侧壁表面被保护层保护的状态下，对基板的膜进行蚀刻。保护层为含有磷的层，对于膜的蚀刻中所使用的化学物种具有相对高的耐性。因此，根据上述实施方式，能够在基板的膜的蚀刻中抑制侧壁表面的蚀刻。另外，膜的蚀刻可以为等离子体蚀刻。

在一个例示性实施方式中，形成保护层的工序可以包括使用第1气体在侧壁表面上形成前体层的工序及使用第2气体由前体层形成保护层的工序。在该实施方式中，第1气体或第2气体含有磷。

在一个例示性实施方式中，可以依次执行分别包括形成前体层的工序和由前体层形成保护层的工序的多个成膜循环。在一个例示性实施方式中，可以在形成前体层的工序与形成保护层的工序之间及形成保护层的工序与形成前体层的工序之间对将基板容纳于其中的腔室的内部空间执行吹扫。