[发明专利]静态随机存储器及其控制方法在审
申请号: | 202011448019.4 | 申请日: | 2020-12-09 |
公开(公告)号: | CN112562759A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 郑承恩;林本成 | 申请(专利权)人: | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
主分类号: | G11C11/418 | 分类号: | G11C11/418;G11C11/419 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 250101 山东省济南市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静态 随机 存储器 及其 控制 方法 | ||
1.一种静态随机存储器,其特征在于,包括:
多条字线、多条位线和多个存储单元,所述存储单元连接至对应的字线和位线;
读取辅助电路和控制信号线,所述读取辅助电路的控制端连接至所述控制信号线,所述读取辅助电路的第一端和第二端分别连接至不同的字线;所述读取辅助电路用于在控制信号的控制下导通,以使对应的两条字线连通。
2.根据权利要求1所述的静态随机存储器,其特征在于,所述读取辅助电路连接于相邻两条所述字线之间;
或者,所述读取辅助电路连接的两条所述字线间隔N条所述字线,N为正整数。
3.根据权利要求2所述的静态随机存储器,其特征在于,每条所述字线均连接有对应的所述读取辅助电路。
4.根据权利要求1所述的静态随机存储器,其特征在于,所述读取辅助电路包括:第一晶体管,所述第一晶体管的栅极作为所述读取辅助电路的控制端,所述第一晶体管的第一极作为所述读取辅助电路的第一端,所述第一晶体管的第二极作为所述读取辅助电路的第二端。
5.根据权利要求4所述的静态随机存储器,其特征在于,所述存储单元包括:
第一反相器和第二反相器,所述第一反相器的输入端和所述第二反相器的输出端连接,所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输入端连接;
第二晶体管,连接于所述第一反相器的输入端和第一位线之间;
第三晶体管,连接于所述第一反相器的输出端和第二位线之间;
所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管均为N型晶体管或P型晶体管。
6.根据权利要求1所述的静态随机存储器,其特征在于,还包括:有效存储区和无效存储区;
所述存储单元设置于所述有效存储区;所述读取辅助电路设置于所述无效存储区。
7.根据权利要求6所述的静态随机存储器,其特征在于,还包括:
第一导电图案层,包括多条所述字线,所述字线由所述有效存储区延伸至所述无效存储区;
第二导电图案层,包括多条导电连接线;所述读取辅助电路通过所述导电连接线与所述字线连接。
8.根据权利要求1所述的静态随机存储器,其特征在于,还包括:
第三导电图案层,包括所述控制信号线,所述控制信号线通过过孔与所述读取辅助电路连接。
9.一种如权利要求1-8任一项所述的静态随机存储器的控制方法,其特征在于,包括:
向所述字线和所述位线传输信号,以控制部分所述存储单元被选通,另外部分所述存储单元未被选通;
向所述控制信号线传输信号,以控制对应的所述读取辅助电路导通;其中,对应的所述读取辅助电路为,与被选通的所述字线连接的读取辅助电路。
10.根据权利要求9所述的静态随机存储器的控制方法,其特征在于,被选通的所述存储单元的工作状态包括:写入状态和/或读取状态。
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