[发明专利]一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备

权利要求书

1.一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备，包括：预热腔、工艺腔和冷却腔，并依次相连通，其特征在于，硅片在预热腔预热后输送至所述工艺腔用于沉积非晶硅薄膜，并从所述工艺腔输送至所述冷却腔进行冷却；

所述工艺腔的一个侧面设置有进气口，相对的侧面设置有尾气管路，且所述工艺腔的内部设置有至少两个电极板，所述电极板在竖直方向上平行设置，并通过绝缘块间隔相邻的两个所述电极板，相邻的两个所述电极板分别连接射频电源和零电势；所述尾气管路上至少设置有一个抽气孔；

所述硅片放置在相邻的两个所述电极板之间，所述电极板固定或可移动地设置在所述工艺腔内，当所述电极板固定设置时，除最顶端的一片所述电极板之外，每片所述电极板上均设置有一块可移动载板，所述硅片设置于所述可移动载板上，当所述电极板可移动地设置在所述工艺腔内时，所述硅片直接放置在相邻的两个所述电极板上；

其中，每两个相邻的所述电极板之间至少包括一片硅片。

2.根据权利要求1所述的一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备，其特征在于，相邻的两个所述电极板之间的距离为10mm-50mm。

3.根据权利要求1所述的一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备，其特征在于，每两个相邻的所述电极板之间包括1-200片硅片。

4.根据权利要求1所述的一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备，其特征在于，所述射频电源的频率为40kHz-40MHz。

5.根据权利要求1所述的一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备，其特征在于，所述进气口处设置有匀气板，所述匀气板上设置有匀气孔。

6.根据权利要求1所述的一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备，其特征在于，所述工艺腔的腔体为立方体结构，且所述工艺腔的腔体与所述电极板之间绝缘，且腔壁上设置有加热板，将所述工艺腔的腔体内温度加热至150-300℃。

7.根据权利要求1所述的一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备，其特征在于，所述电极板或所述可移动载板通过耐高温滚轮或皮带实现移动。

8.根据权利要求1所述的一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备，其特征在于，所述预热腔在工作状态时为密封结构，所述预热腔与所述工艺腔通过传输装置对应连接，且所述预热腔的内部结构与所述工艺腔内部结构相同，两个腔体内的电极板分别对应设置。

9.根据权利要求8所述的一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备，其特征在于，所述冷却腔在工作状态时为密封结构，所述工艺腔与所述冷却腔通过传输装置对应连接，且所述冷却腔的内部结构与所述工艺腔内部结构相同，两个腔体内的电极板分别对应设置。

10.根据权利要求1所述的一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备，其特征在于，所述预热腔、工艺腔和冷却腔的侧面均设置有开合结构，当处于工作状态时开合结构关闭，在传输硅片的过程中所述开合结构开启。