[发明专利]一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备

说明书

本发明公开了一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备，包括：预热腔、工艺腔和冷却腔，并依次相连通，硅片在预热腔预热后输送至所述工艺腔用于沉积非晶硅薄膜，并从所述工艺腔输送至所述冷却腔进行冷却；所述工艺腔的一个侧面设置有进气口，相对的侧面设置有尾气管路，且所述工艺腔的内部设置有至少两个电极板，所述电极板在竖直方向上平行设置，并通过绝缘块间隔相邻的两个所述电极板，相邻的两个所述电极板分别连接射频电源和零电势；所述尾气管路上至少设置有一个抽气孔；本发明为单腔多层非晶硅沉积设备，电极板在竖直方向上平行设置，形成多层结构，能够有效减小设备的占地面积，大幅度增加单台设备产能，解决了现有技术中存在的问题。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，更具体的说是涉及一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备。

背景技术

随着太阳能电池技术的发展，高效电池的开发越来越受重视。其中用本征非晶硅层(a-Si:H(i))钝化的HJT电池(硅基异质结太阳电池)是重点的研究方向之一。众所周知，硅基异质结太阳电池不仅有高的转化效率、高的开路电压，而且具有低的温度系数、无光致衰减(LID)、无电致衰减(PID)、低的制备工艺温度等优势。另外硅基异质结电池在保证高转化效率的同时，硅片厚度可减薄至100μm，有效减少了硅料耗量，并可用来制备可弯曲组件。

对于HJT电池而言，非晶硅起到钝化、形成p-n结的关键作用，对于HJT 电池的转换效率起到决定性作用，因此，制备性能优异的非晶硅薄膜是获得高效HJT电池的关键技术。目前HJT电池非晶硅沉积主要有板式PECVD， Cat-CVD两种设备，此两种非晶硅沉积设备的主要包括问题：1.真空腔体大，导致设备价格昂贵；2.平板式载板，一个腔体放置一块载板，单台设备产能小； 3.设备尺寸大，厂务、自动化配套成本高，占地面积大。可见目前非晶硅沉积设备是限制HJT电池产品大规模量产的主要影响因素。

因此，如何提供一种体积和占地面积更小的适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备是本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD 设备

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种适用于HJT电池非晶硅沉积的多层PECVD设备，包括：预热腔、工艺腔和冷却腔，并依次相连通，硅片在预热腔预热后输送至所述工艺腔用于沉积非晶硅薄膜，并从所述工艺腔输送至所述冷却腔进行冷却；

所述工艺腔的一个侧面设置有进气口，相对的侧面设置有尾气管路，且所述工艺腔的内部设置有至少两个电极板，所述电极板在竖直方向上平行设置，并通过绝缘块间隔相邻的两个所述电极板，相邻的两个所述电极板分别连接射频电源和零电势；所述尾气管路上至少设置有一个抽气孔；

所述硅片放置在相邻的两个所述电极板之间，所述电极板固定或可移动地设置在所述工艺腔内，当所述电极板固定设置时，除最顶端的一片所述电极板之外，每片所述电极板上均设置有一块可移动载板，所述硅片设置于所述可移动载板上，当所述电极板可移动地设置在所述工艺腔内时，所述硅片直接放置在相邻的两个所述电极板上；

其中，每两个相邻的所述电极板之间至少包括一片硅片。

优选的，相邻的两个所述电极板之间的距离为10mm-50mm。

优选的，每两个相邻的所述电极板之间包括1-200片硅片。

优选的，所述射频电源的频率为40kHz-40MHz。

优选的，所述进气口处设置有匀气板，所述匀气板上设置有匀气孔。

优选的，所述工艺腔的腔体为立方体结构，且所述工艺腔的腔体与所述电极板之间绝缘，且腔壁上设置有加热板，将所述工艺腔的腔体内温度加热至150-300℃。