[发明专利]用于锂电池保护芯片中的充放电控制电路

权利要求书

1.用于锂电池保护芯片中的充放电控制电路，包括译码器(101)、第一驱动器(102)、第二驱动器(103)、第三驱动器(104)、第一反相器(105)、第二反相器(106)、第三反相器(107)和控制电路(108)，其特征在于：所述控制电路(108)包括第一电平转换电路(109)、第二电平转换电路(110)、充放电主控制管(111)、第一CMOS开关(112)和第二CMOS开关(113)，译码器(101)输出的数字信号V1依次经过第一驱动器(102)、第一反相器(105)和第一电平转换电路(109)控制充放电主控制管(111)的栅极电位VG1，译码器(101)输出的数字信号V2依次经过第二驱动器(103)、第二反相器(106)控制第二CMOS开关(113)的闭合和断开，译码器(101)输出的数字信号V3依次经过第三驱动器(104)、第三反相器(107)和第二电平转换电路(110)控制第一CMOS开关(112)的闭合和断开，第一CMOS开关(112)第二CMOS开关(113)联合控制充放电主控制管(111)的衬底电位。

2.根据权利要求1所述的用于锂电池保护芯片中的充放电控制电路，其特征在于：所述的第一电平转换电路(109)包括第一PMOS管M6、第一电阻R1、第一NMOS管M4、第二NMOS管M5、第二电阻R2和第二PMOS管M7，第一PMOS管M6的漏极和第一NMOS管M4的漏极通过第一电阻R1连接，第二PMOS管M7的漏极和第二NMOS管M5的漏极通过第二电阻R2连接，第一PMOS管M6的源极和第二PMOS管M7的源极相连，第一NMOS管M4的源极和第二NMOS管M5的源极相连，第一PMOS管M6的漏极和第二NMOS管M5的栅极相连，第一NMOS管M4的栅极和第二PMOS管M7的漏极相连。

3.根据权利要求2所述的用于锂电池保护芯片中的充放电控制电路，其特征在于：所述的第二电平转换电路(110)包括第三PMOS管M10、第三电阻R3、第三NMOS管M8、第四NMOS管M9、第四电阻R4和第四PMOS管M11，第三PMOS管M10的漏极和第三NMOS管M8的漏极通过第三电阻R3连接，第四PMOS管M11的漏极和第四NMOS管M9的漏极通过第四电阻R4连接，第三PMOS管M10的源极和第四PMOS管M11的源极相连，第三NMOS管M8的源极和第四NMOS管M9的源极相连，第三PMOS管M10的漏极和第四NMOS管M9的栅极相连，第三NMOS管M8的栅极和第四PMOS管M11的漏极相连。

4.根据权利要求3所述的用于锂电池保护芯片中的充放电控制电路，其特征在于：第一CMOS开关(112)包括第五NMOS管M3和第五PMOS管M12，第五PMOS管M12的漏极与第五NMOS管M3的源极相连，第五NMOS管M3的衬底和漏极均与第五PMOS管M12的源极相连。

5.根据权利要求4所述的用于锂电池保护芯片中的充放电控制电路，其特征在于：第二CMOS开关(113)包括第六NMOS管M2和第六PMOS管M13，第六PMOS管M13的源极与第六NMOS管M2的漏极相连，第六NMOS管M2的衬底和源极均与第六PMOS管M13的漏极相连。

6.根据权利要求5所述的用于锂电池保护芯片中的充放电控制电路，其特征在于：充放电主控制管(111)的栅极与第一PMOS管M6的漏极相连，充放电主控制管(111)的衬底与第二NMOS管M5的源极相连，第二NMOS管M5的源极与第六NMOS管M2的源极相连，充放电主控制管(111)的源极与第五NMOS管M3的源极相连，充放电主控制管(111)的漏极与第六NMOS管M2的漏极相连，第五NMOS管M3的漏极与第六NMOS管M2的源极相连，第五PMOS管M12的栅极与第三PMOS管M10的漏极相连，第五NMOS管M3的栅极与第四PMOS管M11的漏极相连。