[发明专利]触控显示面板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011451170.3 申请日: 2020-12-10
公开(公告)号: CN112582381B 公开(公告)日: 2023-09-26
发明(设计)人: 张锋 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H10K59/40;G06F3/041
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 杜蕾
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种触控显示面板,其特征在于,所述触控显示面板包括:

基板、薄膜晶体管层、发光器件层以及触控电极层;

所述触控电极层和所述发光器件层位于所述薄膜晶体管层上,所述触控电极层与所述发光器件层间隔设置;其中,

所述触控显示面板还包括依次位于所述薄膜晶体管层和发光器件层之间的第一平坦层、第二平坦层、电极层以及第三平坦层;

所述触控显示面板还包括一屏蔽层,所述屏蔽层位于所述第一平坦层和所述第二平坦层之间。

2.如权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述发光器件层包括层叠设置的阳极、发光层以及阴极;所述触控电极层包括层叠的触控走线、触控连接线以及触控电极;

其中,所述阳极与所述触控连接线同层,所述阴极与所述触控电极同层,所述电极层与所述触控走线同层。

3.如权利要求2所述的触控显示面板,其特征在于,所述触控显示面板还包括第一过孔和第二过孔,所述第一过孔暴露部分所述薄膜晶体管层的源/漏电极且贯穿所述第一平坦层和所述屏蔽层;所述第二过孔与所述第一过孔连接并连通且贯穿所述第二平坦层;

其中,所述电极层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述薄膜晶体管层的源/漏电极电连接,所述发光器件层与所述电极层电连接。

4.如权利要求3所述的触控显示面板,其特征在于,所述第一过孔在对应于所述第一平坦层的开孔直径小于所述第一过孔在对应于所述屏蔽层的开孔直径。

5.如权利要求4所述的触控显示面板,其特征在于,所述电极层通过所述第一过孔的部分与所述屏蔽层侧壁之间存在间隙。

6.如权利要求1所述的触控显示面板,其特征在于,所述屏蔽层的材料为金属材料。

7.一种触控显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:

在基板上依次制备薄膜晶体管层、第一平坦层以及屏蔽层;

采用同一光罩对所述屏蔽层和所述第一平坦层进行蚀刻,形成位于所述薄膜晶体管层的源/漏电极上方的第一过孔;

在所述屏蔽层上制备第二平坦层,对所述第二平坦层图案化处理,形成与所述第一过孔连通的第二过孔;

在所述第二平坦层上制备发光器件层和触控电极层,且所述发光器件层通过所述第二过孔和所述第一过孔与所述薄膜晶体管层的源/漏电极连接,所述薄膜晶体管层与所述触控电极层之间设有所述屏蔽层。

8.如权利要求7所述的触控显示面板的制备方法,其特征在于,采用同一光罩对所述屏蔽层和所述第一平坦层进行蚀刻的步骤包括:

在所述屏蔽层上制备一光阻层;

采用半色调掩模板对所述光阻层进行曝光、随后对所述光阻层进行显影,去除对应于所述薄膜晶体管层的源/漏电极的所述光阻层;

刻蚀对应于所述薄膜晶体管层的源/漏电极的所述屏蔽层,形成暴露出所述第一平坦层的第一通孔;

对所述第一平坦层进行曝光、显影以及刻蚀,去除对应于所述薄膜晶体管层的源/漏电极的所述第一平坦层,形成与所述第一通孔连接并连通的第二通孔;

剥离所述光阻层。

9.如权利要求8所述的触控显示面板的制备方法,其特征在于,在所述光罩制程中,对所述光阻层的曝光强度大于所述第一平坦层的曝光强度,所述第一通孔的直径大于所述第二通孔的直径。

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