[发明专利]包括半导体图案的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

第一导线；

第二导线，与第一导线间隔开；

半导体图案，设置在第一导线与第二导线之间，半导体图案包括：第一半导体图案，设置为与第一导线相邻，第一半导体图案具有第一导电类型杂质；第二半导体图案，设置为与第二导线相邻，第二半导体图案具有与第一导电类型杂质不同的第二导电类型杂质；以及第三半导体图案，设置在第一半导体图案与第二半导体图案之间，第三半导体图案包括设置为与第一半导体图案相邻的第一区域和设置在第一区域与第二半导体图案之间的第二区域，其中，第一区域和第二区域中的至少一个包括本征半导体层；

第一栅极线，与第一区域交叉；以及

第二栅极线，与第二区域交叉。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一区域和第二区域中的每个包括本征半导体层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

第一区域包括本征半导体层；并且

第二区域包括具有第一导电类型杂质的半导体层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

第一区域包括具有第二导电类型杂质的半导体层；并且

第二区域包括本征半导体层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二区域与第一区域连续。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一半导体图案、第二半导体图案和第三半导体图案中的每个包括选自于硅、锗、硅-锗和氧化铟镓锌中的至少一种材料。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体装置，其中，第三半导体图案还包括第三区域，第三区域设置在第一区域与第一半导体图案之间或者设置在第二区域与第二半导体图案之间。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

选择栅极线，与第三区域交叉。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第三区域包括本征半导体层。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第三区域包括具有第一导电类型杂质的半导体层。

11.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

多个半导体图案，设置在基底上，所述多个半导体图案中的每个在平行于基底的上表面的第一方向上延伸，所述多个半导体图案中的每个包括：第一半导体图案，具有第一导电类型杂质；第二半导体图案，具有与第一导电类型杂质不同的第二导电类型杂质；以及第三半导体图案，设置在第一半导体图案与第二半导体图案之间，其中，第三半导体图案包括设置为与第一半导体图案相邻的第一区域和设置在第一区域与第二半导体图案之间的第二区域，其中，第一区域和第二区域中的至少一个包括本征半导体层；

第一导线，连接到所述多个半导体图案；

多条第二导线，与第一导线间隔开，所述多条第二导线中的每条在平行于基底的上表面且与第一方向交叉的第二方向上延伸，第二导线中的每条连接到所述多个半导体图案中的对应的半导体图案；

第一栅极线，设置为与所述多个半导体图案相邻并且在与第一方向和第二方向交叉的第三方向上延伸；以及

第二栅极线，设置为与所述多个半导体图案相邻，第二栅极线在第三方向上延伸并且平行于第一栅极线，

其中，第一栅极线与第一区域交叉，并且第二栅极线与第二区域交叉。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，第一区域和第二区域中的每个包括本征半导体层。

13.根据权利要求11或12所述的半导体装置，其中，第三半导体图案还包括第三区域，第三区域设置在第一区域与第一半导体图案之间或者设置在第二区域与第二半导体图案之间。