[发明专利]半导体量测设备及清洁方法在审
申请号: | 202011453148.2 | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN114623862A | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 金炳喆;卢一泓;李琳;胡艳鹏;张月;王佳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
主分类号: | G01D21/02 | 分类号: | G01D21/02;B08B6/00 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 李晶 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 设备 清洁 方法 | ||
本申请属于半导体量测技术领域,具体涉及一种半导体量测设备及其清洁方法,所述半导体量测设备包括:晶圆装载端口,所述晶圆装载端口用于存放晶圆;晶圆量测装置,所述晶圆量测装置用于测量所述晶圆的参数;EFEM模块,所述晶圆转送装置用于将晶圆在所述量测设备各个模块之间传送;清洁模块,所述清洁模块用于在所述半导体量测设备运行时清洁所述晶圆装载端口、EFEM模块和晶圆量测装置。根据本申请的半导体量测设备,通过在半导体量测设备中设置清洁模块,使半导体量测设备在不停机的状态下,即可对晶圆装载端口、EFEM模块和晶圆量测装置等进行周期性清洁,从而提高半导体量测设备的生产效率。
技术领域
本申请属于半导体检测技术领域,具体涉及一种半导体量测设备及清洁方法。
背景技术
本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息,其并不必然是现有技术。
半导体晶圆在经过多道加工工艺之后,需要对加工后的晶圆进行参数测量,以保证晶圆满足客户要求。晶圆大多采用量测设备对其厚度、形貌、缺陷、电学性质等参数进行测量,量测设备通常为一体机,可以测量多个晶圆参数,因此,晶圆在测量设备内会经过多个位置的移动。由当测量测设内部某个测量工位被污染或者晶圆被污染时,晶圆在各量测工位移动时会扩大污染面积造成进一步的多个模块的污染,而且受到污染的量测设备可能会对后续进行量测的晶圆造成污染。
现有技术中,通常通过清理量测设备内部各个模块各测量工位的污染。但该清理过程需要将量测设备停机,量测停机过程使生产过程停止,从而降低了生产效率。
发明内容
本发明提供了一种半导体量测设备,所述半导体量测设备包括:晶圆装载端口,所述晶圆装载端口用于存放晶圆;晶圆量测装置,所述晶圆量测装置用于测量所述晶圆的参数;EFEM模块,所述EFEM模块用于在所述晶圆装载端口与所述晶圆量测装置之间传递晶圆;清洁模块,所述清洁模块用于在所述半导体量测设备运行时清洁所述晶圆装载端口、所述晶圆量测装置和所述EFEM模块。
附图说明
通过阅读下文具体实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出具体实施方式的目的,而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中,用相同的附图标记表示相同的部件。其中:
图1为本发明的半导体量测设备的结构示意图;
图2为图1所示清洁模块的静电晶圆工作状态图;
图3为图1所示清洁模块的部分结构示意图;
图4为本发明的清洁方法的步骤流程图。
附图标记:
100:半导体量测设备;
10:晶圆装载端口;
20:EFEM模块、21:机械臂;
30:晶圆量测装置;
40:清洁模块、41:静电晶圆、411:绝缘件、42:静电晶圆盒、43:静电晶圆回收盒;
50:洁净度量测模块;
60:控制模块;
70:壳体;
80:卡盘;
90:颗粒。
具体实施方式
以下,将参照附图来描述本公开的实施方式。但是应该理解,这些描述只是示例性的,而并非要限制本公开的范围。此外,在以下说明中,省略了对公知结构和技术的描述,以避免不必要地混淆本公开的概念。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司,未经中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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