[发明专利]闪存数据保存分析方法、装置、可读存储介质及电子设备

说明书

本发明提供的一种闪存数据保存分析方法、装置、可读存储介质及电子设备，从待分析的闪存设备中随机选取待分析的读重试的逻辑地址集合，随机划分为多个逻辑地址子集合，对每个子集合进行数据分析，比较读重试控制策略修改前后对应的出现读重试的逻辑地址的个数，分别得到对应的数据分析结果，根据各个子集合对应的数据分析结果和读重试修改前后的数据分析结果，得到最终分析结果，以此提高了数据分析处理流程的全面性，通过数据分析处理流程中不同数据分析方法得到的多个数据分析结果来综合分析读重试现象出现的原因是否为数据保存问题，提高了判断出现读重试现象原因的准确度，为后续采取解决措施提供了依据，进一步提升了闪存设备的读性能。

技术领域

本发明涉及数据存储领域，尤其涉及一种闪存数据保存分析方法、装置、可读存储介质及电子设备。

背景技术

NAND(NAND flash memory)是一种计算机闪存设备，数据写入NAND颗粒之后，存储单元(cell)中充注的电子会从浮栅层逃逸到沟道，离开的电子多的话，就会导致再次读这个数据的时候发生错误，称为数据保存问题(Data Retention)。

随着时间推移，电子逃逸的速度会越来越快，或者由于颗粒本身质量较差，在颗粒寿命前期就会出现明显的电子逃逸现象。在NAND使用过程中由于数据保存问题存在，如果没有使用读擦洗(read scrub)等类似NAND数据刷新的功能，NAND会有读性能下降的现象，具体表现在单个页(page)上，就是需要进行读重试(read retry)甚至深度读重试(deepretry)才能读到正确的数据。NAND颗粒出现较大量读重试现象，准确定位该问题是否由数据保存问题导致的很有必要，也为后续采取哪种解决措施提供依据。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供了一种闪存数据保存分析方法、装置、可读存储介质及电子设备，能够提高定位出现读重试现象原因的准确度。

为了解决上述技术问题，本发明采用的一种技术方案为：

一种闪存数据保存分析方法，包括步骤：

从待分析的闪存设备中随机选取待分析的读重试的逻辑地址集合，将所述逻辑地址集合随机划分为多个逻辑地址子集合；

对每一个逻辑地址子集合进行数据分析，得到每一个逻辑地址子集合对应的数据分析结果，不同逻辑地址子集合采用的数据分析方法不同；

根据得到的所有数据分析结果确定所述待分析的闪存设备的数据保存问题的分析结果。

为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：

一种闪存数据保存分析装置，包括：

集合划分模块，用于从待分析的闪存设备中随机选取待分析的读重试的逻辑地址集合，将所述逻辑地址集合随机划分为多个逻辑地址子集合；

数据分析模块，用于对每一个逻辑地址子集合进行数据分析，得到每一个逻辑地址子集合对应的数据分析结果，不同逻辑地址子集合采用的数据分析方法不同；

结果分析模块，用于根据得到的所有数据分析结果确定所述待分析的闪存设备的数据保存问题的分析结果。

为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：

一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述闪存数据保存分析方法中的各个步骤。

为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：

一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述闪存数据保存分析方法中的各个步骤。