[发明专利]热处理装置在审
申请号: | 202011456717.9 | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN113013054A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 森拓也;黑岩庆造 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 装置 | ||
1.一种热处理装置,其对基板进行热处理,其中,
该热处理装置具有:
热处理板,在其上表面载置基板,对被载置的该基板进行加热或冷却;以及
变形自如的导热构件,至少其外周面的热导率比所述热处理板的上表面附近的气氛的热导率高,且该导热构件设为覆盖该热处理板的上表面并介于该上表面和晶圆(W)之间,
所述导热构件在向所述热处理板的上表面推压基板的力的作用下变形为与该基板的形状对应的形状。
2.根据权利要求1所述的热处理装置,其中,
所述导热构件具有维持变形后的形状的形状记忆功能。
3.根据权利要求1或2所述的热处理装置,其中,
所述导热构件具有:
介质,其在所述热处理板的使用温度带中为液体,该介质的热导率比所述气氛的热导率高;以及
变形自如且中空的容器,其由热导率比所述气氛的热导率高的材料形成,
所述容器的内部由所述介质填充。
4.根据权利要求1或2所述的热处理装置,其中,
所述导热构件具有:
介质,其在所述热处理板的使用温度带中为气体,该介质的热导率比所述气氛的热导率高;以及
变形自如且中空的容器,其由热导率比所述气氛的热导率高的材料形成,
所述容器的内部由所述介质填充。
5.根据权利要求3所述的热处理装置,其中,
该热处理装置具有:
中空的辅助容器,其由具有比所述导热构件的容器的柔软性高的柔软性的材料形成;以及
连通管,其使所述导热构件的容器和所述辅助容器连通,
所述辅助容器和所述连通管的内部由所述介质填充。
6.根据权利要求1或2所述的热处理装置,其中,
所述导热构件具有:
介质,其在所述热处理板的使用温度带中为粒状的固体,该介质的热导率比所述气氛的热导率高;以及
变形自如且中空的容器,其由热导率比所述气氛的热导率高的材料形成,
所述容器的内部由所述介质填充。
7.根据权利要求3所述的热处理装置,其中,
所述容器由铝形成。
8.根据权利要求1或2所述的热处理装置,其中,
所述导热构件具有多个从所述上表面向上方突出的突起。
9.根据权利要求1或2所述的热处理装置,其中,
所述导热构件装卸自如地设于所述热处理板的上表面。
10.根据权利要求1或2所述的热处理装置,其中,
所述导热构件具有供用于支承基板的基板支承构件插通的贯通孔。
11.根据权利要求1或2所述的热处理装置,其中,
所述热处理板被划分为多个区域,能够在每个该区域进行温度设定,
所述导热构件以与所述热处理板的所述多个区域对应的方式被分割。
12.根据权利要求1或2所述的热处理装置,其中,
所述热处理板具有对该基板进行抽吸的抽吸口,以增大向该热处理板的上表面推压基板的力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造