[发明专利]热处理装置在审
申请号: | 202011456717.9 | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN113013054A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 森拓也;黑岩庆造 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 装置 | ||
本发明提供热处理装置,其无论基板的翘曲的大小如何,都能够在面内均匀地进行对该基板的热处理。热处理装置,其对基板进行热处理,该热处理装置具有:热处理板,在其上表面载置基板,对被载置的该基板进行加热或冷却;以及变形自如的导热构件,至少其外周面的热导率比所述热处理板的上表面附近的气氛的热导率高,且该导热构件设为覆盖该热处理板的上表面并介于该上表面和晶圆(W)之间,所述导热构件在向所述热处理板的上表面推压基板的力的作用下变形为与该基板的形状对应的形状。
技术领域
本公开涉及热处理装置。
背景技术
在专利文献1中公开有如下加热装置,该加热装置具有:载置台,其设有加热板且用于载置基板;抽吸用构件,其用于对处于载置台的上方的基板的下表面进行抽吸而矫正基板的形状;以及升降机构,其使抽吸用构件升降。
专利文献1:日本特开2017-228696号公报
发明内容
本公开的技术提供一种热处理装置,该热处理装置无论基板的翘曲的大小如何,都能够在面内均匀地进行对该基板的热处理。
本公开的一技术方案是一种热处理装置,其对基板进行热处理,该热处理装置具有:热处理板,在其上表面载置基板,对被载置的该基板进行加热或冷却;以及变形自如的导热构件,至少其外周面的热导率比所述热处理板的上表面附近的气氛的热导率高,且该导热构件设为覆盖该热处理板的上表面并介于该上表面和晶圆W之间,所述导热构件在向所述热处理板的上表面推压基板的力的作用下变形为与该基板的形状对应的形状。
根据本公开,能够提供一种热处理装置,该热处理装置无论基板的翘曲的大小如何,都能够在面内均匀地进行对该基板的热处理。
附图说明
图1是概略地表示本实施方式的作为热处理装置的加热装置的结构的纵剖视图。
图2是热处理装置所具有的导热构件的俯视图。
图3是表示基板被载置于热板上时的导热构件的样子的侧视图。
图4是表示基板被载置于热板上时的导热构件的样子的侧视图。
图5是表示基板被载置于热板上时的导热构件的样子的侧视图。
图6是用于说明导热构件的另一例的侧视图。
图7是概略地表示导热构件的另一例的放大侧视图。
图8是用于说明加热装置的另一例的概略的图。
图9是概略地表示热板的另一例的图。
图10是用于说明加热装置的另一例的概略的图。
图11是用于说明辅助容器的配设位置的另一例的图。
图12是用于说明导热构件的另一例的图,示出本例的导热构件所应用的热板。
图13是用于说明导热构件的另一例的图,示出设于图12的热板上的状态的导热构件。
具体实施方式
在半导体器件等的制造工艺的光刻法工序中,为了在半导体晶圆(以下,有时也称为“晶圆”)上形成期望的抗蚀图案而进行各种处理。在上述各种处理中包括:涂布抗蚀液而形成抗蚀膜的涂布处理、将抗蚀膜以规定的图案曝光的曝光处理、将显影液涂布于曝光了的抗蚀膜而进行显影的显影处理、用于对晶圆进行加热的加热处理、对加热后的晶圆进行冷却的冷却处理等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造