[发明专利]一种双向稳压静电浪涌全芯片保护集成电路

权利要求书

1.一种双向稳压静电浪涌全芯片保护集成电路，其特征在于：包括P型衬底，所述P型衬底的上表面分别设有第一P阱、第一N阱和第二N阱，所述第一P阱的左侧面与第一N阱的右侧面连接，所述第一N阱的左侧面与所述P型衬底的左侧面齐平，所述第一N阱上设有第一P+注入区，所述第一P+注入区的右侧间隔设有第一N+注入区，所述第一N+注入区分别在第一N阱和第一P阱上；

所述第一P阱的右侧面与第二N阱的左侧面连接，所述第二N阱的右侧面与所述P型衬底的右侧面齐平，所述第二N阱上设有第五P+注入区，所述第五P+注入区的左侧间隔设有第三N+注入区，所述第三N+注入区分别在第一P阱和第二N阱上；

所述第一P阱在所述第一N+注入区和第三N+注入区之间设有第二P+注入环。

2.根据权利要求1所述的一种双向稳压静电浪涌全芯片保护集成电路，其特征在于：所述第一N阱和第二N阱在所述第二P+注入环的两侧对称设置。

3.根据权利要求2所述的一种双向稳压静电浪涌全芯片保护集成电路，其特征在于：所述第一P+注入区和第五P+注入区在所述第二P+注入环的两侧对称设置。

4.根据权利要求3所述的一种双向稳压静电浪涌全芯片保护集成电路，其特征在于：所述第二P+注入环的左侧面与所述第一N+注入区的右侧面的间距和第二P+注入环的右侧面与所述第三N+注入区的左侧面的间距相同。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种双向稳压静电浪涌全芯片保护集成电路，其特征在于：所述第三P阱在所述第二P+注入环内设有第三N阱，所述第三N阱上沿纵向设有工字型的第二N+注入区，所述第三N阱在所述第二N+注入区的两横部之间设有第三P+注入区和第四P+注入区，所述第三P+注入区和第四P+注入区关于所述第二N+注入区的纵部对称设置。

6.根据权利要求1-4任一项所述的一种双向稳压静电浪涌全芯片保护集成电路，其特征在于：所述第三P阱在所述第二P+注入环内分别设有第三N阱和第一N+注入环，所述第一N+注入环分别在所述第三N阱和第一P阱上，所述第三N阱在所述第一N+注入环内设有第六P+注入区，所述第六P+注入区的左侧面与第一N+注入环的间距和第六P+注入区的右侧面与第一N+注入环的间距相同，所述第六P+注入区的前侧面与第一N+注入环的间距和第六P+注入区的后侧面与第一N+注入环的间距相同。

7.根据权利要求1-4任一项所述的一种双向稳压静电浪涌全芯片保护集成电路，其特征在于：所述第三P阱在所述第二P+注入环内设有第三N阱，所述第三N阱在所述第二P+注入环内沿横向设有日字型的第四N+注入区，所述第四N+注入区的四侧边分别在所述第三P阱和第三N阱上，所述第四N+注入区的左N+环和右N+环对称设置，所述第三N阱在所述左N+环内设有第七P+注入区、在所述右N+环内设有第八P+注入区，所述第七P+注入区和第八P+注入区对称设置。

8.根据权利要求1-3任一项所述的一种双向稳压静电浪涌全芯片保护集成电路，其特征在于：所述第一N+注入区为L型形状，所述第一N+注入区的纵部分别第一N阱和第一P阱上，所述第三N+注入区为倒L型形状，所述第三N+注入区的纵部分别在第二N阱和第一P阱上；所述第一P阱在所述第一N+注入区的横部与第三N+注入区的纵部之间设有第九P+注入区、在所述第二N+注入区的横部与所述第一N+注入区的纵部之间设有第十P+注入区，所述第九P+注入区的后侧面与第二P+注入环的前侧面连接，所述第十P+注入区的前侧面与第二P+注入环的后侧面连接；所述第二P+注入环的左侧面与所述第一N+注入区的纵部的间距和第二P+注入环的右侧面与所述第三N+注入区的纵部的间距相同，所述第二P+注入环的前侧面与所述第一N+注入区的横部的间距和第二P+注入环的后侧面与所述第三N+注入区的横部的间距相同；所述第三P阱在所述第二P+注入环内分别设有第三N阱和第一N+注入环，所述第一N+注入环分别在所述第三N阱和第一P阱上，所述第三N阱在所述第一N+注入环内设有第六P+注入区，所述第六P+注入区的左侧面与第一N+注入环的间距和第六P+注入区的右侧面与第一N+注入环的间距相同，所述第六P+注入区的前侧面与第一N+注入环的间距和第六P+注入区的后侧面与第一N+注入环的间距相同。