[发明专利]半导体加工用粘合片及其利用在审

专利信息
申请号: 202011459228.9 申请日: 2020-12-11
公开(公告)号: CN112980343A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 小坂尚史;龟井胜利;浅井量子;清水阳介;河野广希 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: C09J7/25 分类号: C09J7/25;C09J7/30;C09J133/08;C09J11/08;C09J11/06;H01L21/683
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 唐峥
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 工用 粘合 及其 利用
【说明书】:

本发明涉及半导体加工用粘合片及其利用。本发明的课题在于提供能减轻剥离时的负荷的半导体加工用粘合片。通过本申请,可提供包含构成粘合面的粘合剂层的半导体加工用粘合片。上述粘合剂层包含选自由表面活性剂及具有聚氧亚烷基骨架的化合物组成的组中的至少1种非离子性化合物A作为水剥离添加剂。

技术领域

本发明涉及半导体加工用粘合片。

背景技术

在半导体元件的制造过程中,对于对形成了电路的半导体晶片实施磨削、切割等加工的工序而言,为了实施上述半导体晶片的保护、固定,通常,在向该半导体晶片(被粘物)的电路形成面侧贴附了粘合片(半导体加工用粘合片)的状态下进行。例如,在对半导体晶片的背面进行磨削(背面研磨(backgrind))时,为了保护半导体晶片的电路形成面(正面)、以及保持(固定)半导体晶片,使用了背面研磨胶带(例如,专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2017-212441号公报

专利文献2:日本特开2014-003199号公报

发明内容

发明所要解决的课题

近年来,伴随着半导体元件的小型化、薄型化、高集成化,即使对于背面研磨后的半导体晶片,薄型化的需求也提高。然而,若进行背面研磨直至半导体晶片变得更薄,则容易由于将背面研磨胶带剥离时的负荷而导致半导体晶片受损伤。因此,可能发生因上述损伤而导致的成品率的下降、因谨慎进行剥离操作(例如,减慢拉伸速度)而导致的生产率的下降等。尤其是,如专利文献2中记载那样,对于以环状凸部的内侧成为凹部的方式进行了背面研磨的半导体晶片(所谓的TAIKO(注册商标)晶片)而言,若吸附上述环状凸部而将半导体晶片固定,则在上述凹部,成为背面未被支撑的状态,因此,在上述凹部特别容易发生背面研磨胶带剥离时的损伤。

本发明是鉴于上述情况而作出的,目的在于提供能减轻剥离时的负荷的半导体加工用粘合片。相关的其他目的在于提供包括将半导体加工用粘合片剥离的步骤的半导体元件制造方法。

用于解决课题的手段

根据本说明书,可提供包含构成粘合面(向被粘物的贴附面)的粘合剂层的半导体加工用粘合片。上述粘合剂层包含选自由表面活性剂及具有聚氧亚烷基骨架的化合物组成的组中的至少1种非离子性化合物A作为水剥离添加剂。对于上述半导体加工用粘合片(以下,有时简记为“粘合片”。)而言,通过使构成粘合面的粘合剂层含有上述非离子性化合物A(以下,有时简记为“化合物A”。)作为水剥离添加剂,从而能利用水等水性剥离液有效地降低剥离力,能减轻在将该粘合片剥离时向被粘物赋予的负荷。以下,有时将利用水等水性剥离液进行剥离(典型地,向从被粘物剥离的剥离前沿供给水性剥离液而进行剥离)称为“水剥离”或“水剥离法”。另外,上述化合物A为非离子性的情况下,从用于形成粘合剂层的粘合剂组合物的制备容易性等观点考虑可变得有利。

一些方式中,作为上述化合物A,可优选采用HLB为5以上的化合物A。由此,能合适地发挥基于水剥离的剥离力下降效果(轻剥离化效果)。

一些方式中,作为上述化合物A,可优选采用在一分子内具有2个以上羟基的化合物A。由此,能合适地发挥基于水剥离的轻剥离化效果。

一些方式中,作为上述化合物A,可优选使用具有脂肪酸酯结构的化合物A。选择具有脂肪酸酯结构的化合物作为化合物A的情况下,从粘合剂层中的化合物A的相容性等观点考虑可变得有利。

一些方式中,上述粘合剂层为丙烯酸系粘合剂层。丙烯酸系粘合剂层从该粘合剂层中的化合物A的相容性、后述的活性能量射线固化性的赋予容易性等观点考虑是优选的。

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